英飞凌推出全新EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200 V单通道门极驱动器系列产品

　　【2022 年 1 月 17日，德国慕尼黑讯】最大化减少研发和成本的投入，以及确保中压氮化镓（GaN）开关的稳健和高效运行，是现代电力电子系统设计的几个核心要求。英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）依照其战略性设计GaN产品组合，不断加强全系统解决方案，推出EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V单通道门极驱动器IC系列产品。新的系列产品不仅提升了CoolGaN™肖特基栅（SG）HEMT的性能，同时也可兼容其他GaN HEMT和硅MOSFET。该门极驱动器系列产品可广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动器、电信、服务器、机器人、无人机、电动工具和D类音频放大器等领域。

　　1EDN71x6G系列产品具有可选上拉和下拉驱动强度特性，无需栅极电阻即可实现波形和开关速度优化，因此可使功率级电路布局面积更小，BOM元器件数量更少。驱动能力最强和开关速度最快的的驱动器产品（1EDN7116G）适用于多并联的半桥组合电路。驱动能力最小和开关速度最慢的驱动产品（1EDN7146G）可用于需求dv/dt变化缓慢的应用，如电机驱动或小晶片GaN（高RDS（on）、低Qg）HEMTs。不仅如此，每款产品都有不同的消隐时间，并与最小建议死区时间、最小脉冲宽度和传播延迟成正比。

　　真差分逻辑输入（TDI）功能不仅可消除低边应用中由于接地反d电压而造成的错误触发风险，还能让1EDN71x6G能够处理高边侧应用。此外，所有系列产品均采用有源米勒钳位技术，该技术有非常强的下拉功能，可以避免感应开启。这为抵抗栅极驱动器回路中的毛刺电压提供了更强的鲁棒性，尤其是在驱动具有高米勒比的晶体管时。

　　此外，1EDN71x6G提供有源自举钳位，以避免在死区时间时对自举电容过度充电。这实现了自举电源电压调节，无需额外的调节电路即可对高边侧晶体管的栅极形成保护。如有需要（如在无法完全优化PCB布局的情况下），该产品系列还可提供带有可调负关断电源的可编程电荷泵，以此取得额外的米勒感应导通抗扰度。

　　供货情况

　　用于CoolGaN SG HEMT的1EDN7116G、1EDN7126G、1EDN7136G和1EDN7146G四款EiceDRIVER HS 200 V单通道栅极驱动器IC，现在可在PG-VSON-10套装中订购。