Vishay发布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的MOSFET

Vishay发布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的MOSFET,第1张

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺寸、热增强型PowerPAK® SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK® SC-70 2mm x 2mm占位面积的100V N沟道器件,导通电阻分别小于200m?和100m?。

  在导通电阻比尺寸更重要的应用中,2mm x 2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大导通电阻为83m?和130m?,导通电阻与栅极电荷乘积在10V和4.5V下分别为540mΩ-nC和455mΩ-nC,该参数是DC/DC转换器应用中评价MOSFET的优值系数(FOM)。对于尺寸大小更重要的应用,1.6mm x 1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大导通电阻为185m?和310 m?,在10V、4.5V下的FOM为611mΩ-nC和558mΩ-nC。

  SiB456DK和SiA416DJ进行了100%的Rg和UIS测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。

  新款MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

  VISHAY简介

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件电阻器电感器电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。

  TrenchFET®、ThunderFET®和PowerPAK®是Vishay Siliconix公司的注册商标。

  新闻联系人:

  VISHAY

  张艳(Chris Zhang)

  地址:上海市淮海西路 55 号 申通信息广场 15 楼 D 座

  电话:(8621)52585000-6072

  传真:(8621)52587979

  Email:chris.zhang@vishay.com

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