半导体可饱和吸收镜的基本结构

半导体可饱和吸收镜（SESAM）的基本结构就是把反射镜与半导体可饱和吸收体结合在一起。底层一般为半导体反射镜，其上生长一层半导体可饱和吸收 体薄膜，最上层可能生长一层反射镜或直接利用半导体与空气的界面作为反射镜，这样上下两个反射镜就形成了一个法布里-珀罗腔，通过改变吸收体的厚度以及两 反射镜的反射率，可以调节吸收体的调制深度和反射镜的带宽。

一般来说半导体的吸收有两个特征弛豫时间，带内热平衡 (intraband thermalization) 弛豫时间和带间跃迁 (interband transition) 弛豫时间。带内热平衡弛豫时间很短，在100-200 fs左右，而带间跃迁弛豫时间则相对较长，从几ps到几百ps。带内热平衡弛豫时间基本上无法控制，而带间跃迁弛豫时间主要取决于半导体生长时衬底的温 度，生长时的温度越低，带间跃迁弛豫时间越短。在SESAM锁模过程中，响应时间较长的带间跃迁 (如载流子重组) 提供了锁模的自启动机制，而响应时间很短的带内热平衡可以有效压缩脉宽、维持锁模。

先了解下锁模原理，还有什么是调制深度吧可饱和吸收镜（SAM）其反射比R取决于材料的吸收率A即R=1-A。调制深度△R小于小信号吸收率A0，这是由于非饱和损耗所造成的 Ans：△R=A0-Ans。引起非饱和损耗的主要原因有晶体缺陷，这些缺陷可以保证超快的载流子恢复速度。调制深度会随着载流子弛豫时间τ的增加而增加。屹持光电的SESAM调制深度△R典型值 快速饱和 τ~500 fs：△R~0.5 A0；Ans~0.5 A0 慢速饱和 τ~ 30 ps：△R~0.8 A0；Ans~0.2 A0脉冲通量依赖的SAM的反射率R(F)，可以通过有效吸收率来控制。对于短脉冲和高脉冲能量，双光子吸收减少了反射以及有效调制深度。。。可以去google或百度搜索“半导体可饱和吸收镜工作原理”有一篇博文，说的比较详细。我直接复制过来的一段。

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