半导体物理,陷阱,状态密度,

半导体物理,陷阱,状态密度,,第1张

1. n型半导体是因为载流子是negative的, 不能简单的说掺入了施主杂质, 因为有些情况下存在本征缺陷也会形成n型半导体. 陷阱可以看作能级, 但是不一定比施主能级低. 比如电子陷阱, 那么比施主能级高的就不被离化的施主填充, 如果比施主能级低的就首先被施主能级填充, 而在其未填满之前不会使得离化的电子首先成为导带的自由电子. 陷阱能级往往是材料本身的缺陷引起的, 因为杂质引起的通常成为施主或受主能级, 虽然有些深能级往往也会俘获载流子.

2. 你的思考是对的, 不是完全的被电子占据, 但是正是因为载流子服从e指数的分布, 可以认为在远大于费米能级kT个单位的范围外, 能级全部填充或者空余. 总之, 费米能级是电子填充能级的平均水平.

3. 陷阱不要状态密度表示, 一般用cm^-2eV^-1来表示, 称为陷阱态密度.

数学的意义最简洁:

用无穷小理论可以佐证:

当 E >>kT 时 e^(E/kT) >>1

1 + e^(E/kT) ~~~ e^(E/kT) ;

于是费米函数 F (E) ~~ 玻尔兹曼分布函数;

(请注意, 费米分布,玻色分布,是把e^(E/kT)的函数放在分母而波尔兹曼分布直接把e^(E/kT)放在分母, 其实两者表达的意思是一样的,都是e的-1次方的意思。)

探讨一下物理的意义:

1. 在物理实质上, 经典分布于量子分布的区别。

经典分布的粒子可以分辨。所以在粒子排布时要考虑粒子之间的排列问题。

因为量子力学预言参数一样的微观粒子将不可分辨, 称为全同粒子。 因此全同粒子的分布需要在经典分布上再除以一个排列因子,以抵消不可分辨原则。

顺带一提,因为粒子波函数存在对称性,所以解出了两种全同粒子,一种是反对称的费米子,服从Fermi分布;另一种是对称的玻色子,服从Bose分布。

2。 在统计表达式上,经典分布与量子分布的区别。

2-1 因子e^(-E/kT)的物理意义。

我们看到Bolzman 分布也好,Bose 分布也好,Fermi分布也好,都有一个因子e^(-E/kT).这个因子是什么意思呢?

e^(-E/kT)这个因子并不罕见,它在大气分子密度分布中也有出现,n = n0 e^(-mgh/kT). 意思是海拔高度h处的大气分子密度为 e^(-mgh/kT)。

他还在保守场的理想气体分子分布中出现: n = n0 e^(-P.E/kT).

P.E是势能。式子的意思是势能为P.E处的大气分子密度为 e^(-P.E/kT)。

另外回想一下能量均分定理里面,分子的平均动能为 Ep = 1/2 k T

那么很清楚了.

1. kT就是微观分子的平均动能,

2. P.E/kT就是宏观能量与微观分子动能的比值,

3. 分子的密度比值 n/n0 和 P.E/kT这个能量比值成 e的 -1次方的映射关系。

那么用上面的结果解释一下三大分布里面, E/kT的意义.

1.E代表系统的可能存在状态,粒子可能表现的能级。

2.kT表征粒子的平均动能。

3. 粒子在E出现的概率f 与 E/kT 这个能量比值成e的 -1次方的映射关系。

2-2 从E/kT因子, 区分粒子可不可以分辨,进而区分经典分布与量子分布

因此当系统的可能态的特征能量,与粒子能量相比拟的时候,也就是 E ~ kT时, 粒子显示它的量子性,不能分辨,呈现Fermi,或者Bose分布;

当系统的可能态的特征能量,远小于粒子能量的时候, 也就是 E >>kT时, 粒子显示它的宏观性,可以分辨,呈现Bolzman分布;

详细证明见<半导体物理 by 刘恩科>P54.


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