pvt什么意思

物理气相传输法（PhySiCal Vapor Transport，PVT），即在高温区将材料升华，然后输送到冷凝区使其成为饱和蒸气，经过冷凝成核而长成晶体。2. PVT法生长SiC晶体原理使用PVT法生长SiC晶体时，使原料处于高温区，籽晶处于相对低温区，进而处于温度较高处的原料发生分解，不经液相态直接产生气相SiXCy物质（主要包含Si、Si2C、SiC2等），这些气相物质在轴向温度梯度的驱动下输运到籽晶处，在籽晶处形核、长大，最终结晶形成SiC单晶。SiC原料表面到籽晶之间的温度梯度是SiC晶体生长的驱动力，通常设计的温度梯度在5-20K/cm之间，温度梯度越高，到达籽晶表面气相物质的过饱和度就越高，SiC晶体的生长速度越快。但速度过快（如沿晶体生长方向速度达0.5mm/h以上），则晶体极容易产生异质晶型，导致晶体生长过程失败。3. PVT法生长SiC晶体的问题与挑战高质量SiC晶体/晶片是SiC半导体产业的核心基础，SiC半导体产业环节包含“SiC单晶衬底—外延片—芯片和封装—应用”。各产业环节均对SiC单晶片的杂质含量有较高要求，如SiC单晶片金属杂质含量高于1PPM，则不仅会对外延设备造成金属污染影响外延薄膜质量和重复性，同时也会对器件造成漏电流过大等不良影响。因此，PVT法生长SiC晶体面临的关键问题和挑战就是SiC晶体内杂质浓度的控制问题。应用PVT法生长SiC单晶，通常的生长温度在2000℃以上，为避免引入杂质，理想的晶体生长坩埚材料和保温材料只能是石墨，但市场上销售的石墨材料含有一定量的杂质。采用何种方式对石墨材料进行再提纯处理，是PVT法生长SiC晶体时杂质控制的关键之一。此外，PVT法生长SiC晶体需要使用SiC原料。目前，市场上销售的SiC原料杂质含量近百PPM，如此高的杂质含量难以用于生长高纯度SiC晶体。因此，一些单位使用硅粉和碳粉，来自主合成高纯SiC原料，但合成的原料中仍然含有微量关键杂质，对生长的SiC晶体纯度造成影响。因此，PVT法生长SiC晶体过程中也面临高纯SiC原料获取的挑战。4. PVT法生长SiC晶体的优势SiC晶体生长方法主要有：液相外延（LPE）法、高温化学气相沉积（HTCVD）法和物理气相传输（PVT）法。

负极指电源中电位（电势）较低的一端。在原电池中，是指起氧化作用的电极，电池反应中写在左边。在电解池中，指起还原作用的电极，区别于原电池。从物理角度来看，是电路中电子流出的一极。

接地（earthing）接地指电力系统和电气装置的中性点、电气设备的外露导电部分和装置外导电部分经由导体与大地相连。可以分为工作接地、防雷接地和保护接地。

在半导体电路中，如果是PNP半导体，一般采用正极接地，也就是以电源的正极作为整个电路的参考点；如果是NPN半导体，一般采用负极接地，也就是以电源的负极作为整个电路的参考点。现在的半导体电路多数采用硅材料，所以都是NPN半导体，负极接地。

扩展资料：

一、接地电阻

一般指接地体上的工频交流或直流电压与通过接地体而流入地下的电流之比。散泄雷电冲击电流时的接地电阻指电压峰值与电流峰值之比，称为冲击接地电阻。接地电阻主要是电流在地下流散途径中土壤的电阻。接地体与土壤接触的电阻以及接地体本身的电阻小得可以忽略。

电网中发生接地短路时，短路电流通过接地体向大地近似作半球形流散（接地体附近并非半球形，流散电流分布依接地体形状而异）。图中画出了与电流垂直的等位线，越接近接地体的等位线其电位越高。因为球面积与半径平方成正比，所以流散电流所通过的截面随着远离接地体而迅速增大。

因电阻与电流通道的截面积成反比，故同半球形面积对应的土壤电阻随着远离接地体而迅速减小。一般情况下，接地装置散泄电流时，离单个接地体20米处的电位实际上已接近零电位。

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