第三代半导体材料爆发!氮化镓站上最强风口

第三代半导体材料爆发!氮化镓站上最强风口,第1张

随着市场对半导体性能的要求不断提高,第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势开始崭露头角,成为行业未来重要增长点。

相对于第一代(硅基)半导体,第三代半导体禁带宽度大,电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍,具有更强的耐高压、高功率能力。

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄,由于性能不同,二者的应用领域也不相同。

氮化镓、高电流密度等优势,可显著减少电力损耗和散热负载,迅速应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域,是未来最具增长潜质的化合物半导体。

与GaAs和InP等高频工艺相比,氮化镓器件输出的功率更大;与LDCMOS和SiC等功率工艺相比,氮化镓的频率特性更好。

随着行业大规模商用,GaN生产成本有望迅速下降,进一步刺激GaN器件渗透,有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。

GaN主要应用于生产功率器件,目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子,如军事通讯、电子干扰、雷达等领域。

在民用领域,氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。氮化镓基站PA的功放效率较其他材料更高,因而能节省大量电能,且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段,功率密度大,能够减少基站体积和质量。

氮化镓在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。随着5G高频通信的商业化,GaN将在电信宏基站、真空管在雷达和航空电子应用中占有更多份额。

根据Yole估计,大多数Sub 6GHz的蜂窝网络都将采用氮化镓器件,因为LDMOS无法承受如此之高的频率,而砷化镓对于高功率应用又非理想之选。

同时,由于较高的频率会降低每个基站的覆盖范围,需要安装更多的晶体管,因此市场规模将迅速扩大。

Yole预测,GaN器件收入目前占整个市场20%左右,到2025年将占到50%以上,氮化镓功率器件规模有望达到4.5亿美元。

从产业链方面来看,氮化镓分为衬底、外延片和器件环节。

尽管碳化硅被更多地作为衬底材料(相较于氮化镓),国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业,主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等。

从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等。

从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰 科技 、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。

GaN技术的难点在于晶圆制备工艺,欧美日在此方面优势明显。由于将GaN晶体熔融所需气压极高,须采用外延技术生长GaN晶体来制备晶圆。

其中日本住友电工是全球最大GaN晶圆生产商,占据了90%以上的市场份额。GaN全球产能集中于IDM厂商,逐渐向垂直分工合作模式转变。美国Qorvo、日本住友电工、中国苏州能讯等均以IDM模式运营。

近年来随着产品和市场的多样化,开始呈现设计业与制造业分工的合作模式。

尤其在GaN电力电子器件市场,由于中国台湾地区的台积电公司和世界先进公司开放了代工产能,美国Transphorm、EPC、Navitas、加拿大GaN Systems等设计企业开始涌现。

在射频器件领域,目前LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)、GaAs(砷化镓)、GaN(氮化镓)三者占比相差不大,但据Yoledevelopment预测,至2025年,砷化镓市场份额基本维持不变的情况下,氮化镓有望替代大部分LDMOS份额,占据射频器件市场约50%的份额。

GaAs芯片已广泛应用于手机/WiFi等消费品电子领域,GaN PA具有最高功率、增益和效率,但成本相对较高、工艺成熟度略低,目前在近距离信号传输和军工电子方面应用较多。

经过多年的发展,国内拥有昂瑞微、华为海思、紫光展锐、卓胜微、唯捷创芯等20多家射频有源器件供应商。

根据2019年底昂瑞微董事长发表的题为《全球5G射频前端发展趋势和中国公司的应对之策》的报告显示,截至报告日,国内厂家在2G/3G市场占有率高达95%;在4G方面有30%的占有率,产品以中低端为主,销售额占比仅有10%。

目前我国半导体领域为中美 科技 等领域摩擦中的卡脖子方向,是中国 科技 崛起不可回避的环节,产业链高自主、高可控仍是未来的重点方向。第三代半导体相对硅基半导体偏低投入、较小差距有望得到重点支持,并具备弯道超车的可能。

[硬核买手]氮化镓(GaN)拥有极高的稳定性,它的熔点约为1700℃。作为目前是最优秀的半导体材料之一,GaN用作整流管能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生。这些特性让氮化镓应用在电源上有很好的发挥,降低元器件的体积同时能提高效率。

很多人都会抱怨:笔记本、手机等设备充电器不通用的问题,导致出差、 旅游 都要带上大量的充电器,不少笔记本更是要带上板砖似的充电电源。

难道真的没有小巧一点的、通用性强一点的充电器么?其实还是因为穷的,使用黑 科技 材料氮化镓得ANKER GaN充电器虽然比普通得PD充电器价格高了一倍,但是体积却小了40%。

为什么能有这么大的改变呢?氮化镓又是一个怎么样的黑 科技 呢?

黑 科技 半导体氮化镓的来历和优势/劣势

其实早在2000年左右,就有研究人员投入到射频氮化镓技术的研究,最开始氮化镓器件成本高、产量不高,氮化镓器件主要应用于军事和航天领域,雷达和电子战系统。如今在点对点军用通信无线电中就有使用氮化镓工艺的放大器,未来手机是否也会获得军事领域的技术下放虽然还不好说。但氮化镓器件确实开始走向消费领域了,如今市场上已经有了不少已量产的氮化镓充电器。

氮化镓被业界称为第三代半导体材料,被应用到不同行业的产品上,应用范围包括半导体照明、激光器、射频领域等,应用在电源类产品上可以在超小的体积上实现大功率输出,改变行业设计制造方案、改变消费者使用习惯。

氮化镓的熔点和饱和蒸气压相当高,因此在自然界无法以单晶体的形式形成,目前常用的制备方法为薄膜法和溶胶凝胶法。

目前经过测试发现,用氮化镓材料代替传统的MOSFET后,电源的驱动损耗、开关损耗会更小,死区也缩小(缩短优化开关转换时的死区时间)。而更高的电子迁移率使得反向恢复时间极短,也就不存在反向损耗。

5G是今年最热门的话题,而氮化镓恰好在5G技术上能发挥巨大作用,这种材料非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽,加上低内阻低发热量、适合在高温环境下工作的特点,GaN材料将应用于各种被动散热的户外电子设备以及 汽车 上。

不过虽然氮化镓的优点多,物理性能优异,但它不能应用在比较高的电压环境下。

而且成本也会更高一些,与现今的硅器件相比,氮化镓的导通电阻要低3个数量级,击穿电场是硅器件的10倍,带来的就是更高的转换效率和工作频率,并降低元器件体积。另外氮化镓可以在严酷的工作环境下保持正常的性能,不过目前氮化镓的成本还是太高了。

所以目前氮化镓比较成熟的应用是在小型的充电器上。这就是我们今天要说到的 ”ANKERPowerPort Atom PD1“GaN充电器。

目前 市面上的各种快充协议

PD快充协议有大一统的趋势

从2017年开始,智能设备的性能开始大幅度攀升,相对应的设备对电池的容量有了更高的要求。但大电池充电就成为了一个难题,所以现在有了众多的快充标准。除了大家一般使用的QC快充、还有各家智能手机厂商开发的各种快充私协议,前不久vivo更是推出了120W快充。

不过目前最新的QC4.0也仅仅只支持28W的功率,于是追求充电更快的路途上,手机厂商也不断推出并升级自家的快充协议,如一加的WARP闪充(30W)、华为的Super Change(40W)、VOOC闪充(50W),vivo Super FlashCharge(120W)。

但是没有哪一家能打通全平台,实现一个充电器就能对所有的设备都能快速充电。市面上的快充协议“百家争鸣,各自为政”,即使有兼容也不能达到最理想的充电速率。

“协议兼容性目前的确是整个快充行业发展的最大技术壁垒,如果能够打通快充协议不兼容的问题,整个行业的发展能够加速前行。”

好在,基于USB type C接口的PD协议有大一统电子数码充电协议的趋势,支持笔记本电脑、平板电脑、手机、 游戏 机等设备快速充电,目前最新的PD 3.0标准最大功率可以达到100W。

ANKER PowerPort Atom PD 1 GaN充电器支持DCP协议,支持5V/3A、9V/3A、15V/2A、20V/1.5A四个USB PD输出档位最高输出30W,PD快充版本为3.0。

ANKER GaN充电器:小体积实现更高功率

ANKER PowerPort Atom PD 1 GaN充电器在设计上无论是在包装还是产品本身,都是充满了十足的“ANKER”风格。蓝白的搭配简约 时尚 很有辨识度,第一眼看见就能准确知道是ANKER产品。充电器的外形体积整体圆润十分小巧,手感也十分不错。

使用氮化镓GaN功率器件让ANKER PowerPort Atom PD 1在体积上十分有优势,与市面上多款热门PD充电器进行对比之,无论是重量还是体积ANKER PowerPort Atom PD 1 GaN充电器都位列前茅。

性能上,ANKER PowerPort Atom PD 1 GaN充电器支持5V、9V、15V、20V PD输出,可以满足大部分产品设备,它的输出最高可达30W功率,在我们实际的兼容性测试中,无论是充手机、还是笔记本,它都能胜任,性能着实不错。

鹅暖石丰满造型

ANKER PowerPort Atom PD 1 ANKER GaN充电器沿用了家族饱满丰润的设计,正面镜面与侧面哑光细节互为补充简约,犹如一块软润的鹅暖石。

一个蓝色舌片的USB-C输出口上印刷这“PD”字样标识,PD目前通用性最强也是未来数年的发展方向的USB PD快速充电标准。

小体积大功率

从左至右依次是 “ANKER GaN充电器 30W” “苹果原装18W快充” “联想ThinkPlus 65W快充” “苹果笔记本充电器”)

GaN场效应管小体积低内阻高性能的优点在充电器上体现的淋漓尽致,而且还完美避免了不耐高压的缺陷。

ANKER PowerPort Atom PD 1GaN充电器实现30W的功率,其体积要比苹果的18W快充都小一圈,与苹果手机自带的5W小充电器相差不大,携带出去旅行还是相当方便的。

30W功率只有iPad刚刚好

30W的功率见仁见智吧,因为如果需要给笔记本充电的话至少需要使用65W的供电,而手机目前最多也只能18W的PD快充。目前使用30W PD供电的也就只有iPad Pro了,也就是说你要是有个iPad Pro的话,买这款充电器可能比较实用。

此前测试iPad Pro最大支持32~35W PD快充。在我们使用ANKER GaN充电器给iPad Pro充电时,根据POWER·Z的数据显示,可以达到26~27W的充电功率。整个充电过程发热量比普通的充电器要低一些。

在兼容性上,支持iPhone X/XS/XS MAX/XR、华为P10/P20/P20 Pro/Mate 9/Mate10、xiaomi 8/9、魅族PRO 5、三星S8以上手机的PD快充。

非PD快充的设备大多数也能获得标准的10W充电功率。

笔记本和平板上,只要是支持PD协议的笔记本都能获得接近30W的充电功率,例如MacBook、小米笔记本Air、华为MateBook等,平板电脑的支持上iPad Pro因为支持PD充电也可以获得27W左右的供电支持。不过需要注意即使是支持PD充电协议的笔记本,因为功耗的原因对电源功率输入要求比较高,一般需要60W以上的充电器才能正常使用+充电,使用ANKER GaN充电器给笔记本充电话可能会遭遇笔记本CPU降频性能减弱、实用笔记本时虽然插电但无法给笔记本电池充电的情况出现。

总结

ANKER PowerPort Atom PD 1 GaN氮化镓充电器最开始发布的时候可谓吸引了全球眼球,造型也比较小巧可爱,在小体积的情况下实现了更高功率的输出。如果你有支持30W充电的设备比如iPad Pro,就更好了。

但如果你想使用ANKER PowerPort Atom PD 1 GaN充电器给笔记本充电话可能会遭遇笔记本CPU降频性能减弱、实用笔记本时虽然插电但无法给笔记本电池充电的情况出现。所以我目前使用的是ThinkPlus 65W充电器,出差的话iPhone支持18W PD快充,笔记本需要65W充电,移动电源支持45W PD快充,ThinkPlus电源是我目前比较好的解决方案。

而且从价格上来说,ANKER PowerPort Atom PD 1 GaN充电器官方定价188元,价格上来说还是比较高的。建议观望,不过更高高功率的60W氮化镓充电器却没有了体积上的优势,而且价格高,所以如果你不差钱想尝鲜,那也可以上上手体验一下。

优点: 1、同体积下实现更高的充电功率,体积小易携带。

2、充电时发热量小,热损耗小转化率更高。

3、30W PD快充,支持新款iPhone、华为P20/P10/Mate 10/Mate9、xiaomi 9/8、iPad Pro、三星S系列等设备的PD充电,支持iPad air 2.4A充电。

缺点:

1、价格贵,188元的价格,一个65W ThinkPlus的优惠价也不过150元,体积也是ANKER GaN氮化镓充电器两倍不到。

2、非PD设备最高只支持10W左右的功率充电。

3、30W功率不上不下,笔记本一般需要65W充电功率,30W功率过低可能出现笔记本CPU降频或者笔记本在使用时无法给电池进行充电。但充手机的话也只能支持18W,这体积和18W PD充电头相比的话优势又不明显了。 详细参数:

充电器名称:PowerPort Atom PD 1

型号:A2017

输入:100-240V~1.2A 50~60Hz

输出:5V/3A、9V/3A、15V/2A、20V/1.5A

该充电器通过CCC认证。

中国十大半导体公司排名:深圳市海思半导体有限公司、深圳豪威科技集团股份有限公司、北京智芯微电子技术有限公司、深圳市中兴微电子技术有限公司、清华紫光展锐、华大半导体有限公司、深圳市汇顶科技股份有限公司、格科微电子上海有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司。

1、深圳市海思半导体有限公司:深圳市海思半导体有限公司是我国一家非常有名的半导体公司,它是由之前的华为集成电路设计中心演变而来的,有着丰厚的制作半导体材料知识,在北京、上海乃至美国硅谷和瑞典等著名的城市,都设置了分部。

2、深圳豪威科技集团股份有限公司:深圳豪威科技集团股份有限公司是我国一家有着27年历史的半导体公司,该公司的主营业务就是对各类真空光电子材料和产品进行研发和生产,有着属于自己的生产基地,在上海和北京都有设立。

3、北京智芯微电子技术有限公司:北京智芯微电子技术有限公司是我国一家发展速度比较快的半导体公司,该公司背靠着国网信通产业集团的大背景,有着属于自己的精英研发团队,能够独立自主的完成对芯片产品的设计和研发。

4、深圳市中兴微电子技术有限公司:深圳市中兴微电子技术有限公司是我国一家专业从事集成电路的半导体公司,该公司从国外引进了专业的人才和设备,在对于集成电路和相关半导体材料的研发和制造,有着自己独到的技术和知识。

5、清华紫光展锐:清华紫光展锐是我国一家由清华大学创办的半导体公司,是中国十大芯片企业之一,该公司是我国综合性最强的一个集成电路企业,也是全世界第三大手机芯片制造商,在对于芯片和半导体材料的制作上,可谓是出类拔萃。


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