如何用霍尔效应法判断霍尔片是n型还是p型的半导体材料

用左手定则就可以了。

当磁场方向穿过手心，四指方向为电流方向，拇指为电场方向，拇指指向负电荷一侧，此时为P型半导体，空穴型。若方向正好相反，则为N型半导体，也是电子型。

判断通电导线处于磁场中时，所受安培力 F （或运动）的方向、磁感应强度B的方向以及通电导体棒的电流I三者方向之间的关系的定律。

扩展资料：

导体内定向移动的电荷所受洛伦兹力的合力。当电流方向与磁场平行时，电荷的定向移动方向也与磁场方向平行，所受洛伦兹力为零，其合力安培力也为零。

洛伦兹力不做功是因为力的方向与粒子的运动方向垂直，根据功的公式W=FScosθ，θ=90°时，W=0。安培力与导线中的电流方向垂直，与导线的运动方向并不一定垂直，一般情况是在同一直线上的，因此安培力做功不为0。

根据霍尔效应原理，在满足电流方向垂直于与磁场线方向，载流子会受洛伦兹力的影响，（洛伦兹力的方向都垂直于电流，电场力的方向，且方向由左手定则判断，左力右电吧这个方法），故在这两个相反的方向的面上，会形成霍尔电压。若载流子带正电荷，则为p型半导体（空穴型），若为负电荷，则为n型半导体（电子型）。

霍尔效应在半导体中特别显著原因是因为半导体的霍尔系数系数比金属大得多，半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，所以采用半导体材料作霍尔元件灵敏度较高。

一个与x轴平行放置的p型半导体，添加x正方向的电场与z正方向的磁场。则可理解为多子向x正方向移动，可判断在磁场作用下空穴向y轴负方向移动，形成由y轴负方向到y轴正方向的电场，达到平衡时霍尔电势差为由y轴负方向到正方向。

可是如果是n型半导体，多子为电子，在x正方向电场作用下向x轴负方向移动，在磁场作用下向y轴负方向移动，因此形成了由y轴正方向到负方向的霍尔电势差。

因此，霍尔效应可用于判断半导体类型。

扩展资料

霍尔效应在应用技术中特别重要。霍尔发现，如果对位于磁场(B)中的导体(d)施加一个电流(Iv)，该磁场的方向垂直于所施加电压的方向，那么则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个电压(UH)，人们将这个电压叫做霍尔电压。

好比一条路， 本来大家是均匀的分布在路面上, 往前移动。当有磁场时， 大家可能会被推到靠路的右边行走。故路 (导体) 的两侧，就会产生电压差。这个就叫“霍尔效应”。根据霍尔效应做成的霍尔器件，就是以磁场为工作媒体，将物体的运动参量转变为数字电压的形式输出，使之具备传感和开关的功能。

在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器、ABS系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器、各种开关，等等。

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