温度对二极管的正向特性影响小,对其反向特性影响大,为什么?

温度对二极管的正向特性影响并不很小，大约每度变化2MV对于只有0.7V的压降就是很多了，只是与反向特性比较绝对值低而已。

温度对二极管正反向特性的影响主要是由于半导体电子与空穴的移动速度与温度关系比较大，所以也长用来做温度传感器。最简单的就是在二极管正向串联电阻，测其压降就能测温度了，如常温20度是0.7V，加温到0.6V，被测温度大约（100MV/2MV）+20=70度。

扩展资料

实际的二极管，外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。

当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。增加很快，所以二极管上的压降，其实很小，否则由于电流太大，就烧坏了。

在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。

温度升高，正向导通电压减小，反向击穿电压减小，反向饱和电流增大。即，相同的正向电压下，温度升高，正向电流增大。在未反向击穿之前，温度升高，反向饱和电流增大。温度升高后，管子更容易被击穿。比如20V反向电压，温度低的时候管子不会被击穿，但是温度升高后，有可能会被击穿。

拿其电阻率来说，电阻率主要决定于载流子的浓度和迁移率，两者均与杂质浓度和温度有关系。讨论纯半导体材料是，电阻率主要取决于本证载流子浓度ni，ni随温度升高会急剧增加，室温左右时，每8℃，硅的ni会增加大约一倍，而迁移率只是稍有下降，所以可以认为起电阻率相应的降低了一半左右。对于锗，每增加12℃，ni增加一倍，电阻率下降一半。本征半导体的电阻率随温度增加单调下降。对于杂质半导体：温度很低时，本征激发忽略，主要由杂质电离提供载流子，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高增大，所以电阻率下降。温度继续升高，杂质全部电离，本征激发还不显著时，载流子基本不变，晶格振动是主要影响因素，迁移率随温度升高而降低，所以电阻率随温度升高而增大。继续升高到本征激发很快增加时，本征激发称为主要影响因素，表现出同本证半导体相同的特征。

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