硅晶片是重要的半导体芯片材料。由于具有抗辐射,耐高温和高可靠性的特性,硅基材料在1960年代后期逐渐取代锗基材料成为主流半导体芯片材料。目前,超过95%的半导体芯片和器件是由硅基材料制成的。
半导体硅晶片市场高度集中并且具有规模优势。 Shin-Etsu Chemical(日本),SUMCO(日本),SK Siltron(韩国),Siltronic(德国)和Global Wafer(台湾)占全球市场份额的93%。 。中国大陆的半导体晶圆自主性较低,特别是对于12英寸大晶圆。随着半导体芯片设计和制造能力向我国的逐步转移,下游制造商正在推动供应链的国产化。以中环和沪硅为代表的国内硅晶圆制造商开始加快步伐,它们正在逐渐突破海外垄断并加速推进我国进行半导体晶圆国产化进程。
晶体生长设备是公司的传统优势业务。在光伏领域,除隆基股份和京运通外,该公司的单晶炉市场份额高达90%,牢牢占据龙头地位;在半导体芯片领域,公司一直保持与半导体芯片材料制造商的关系。良好的业务和研发合作关系,再加上自身强大的技术实力,率先实现了匹配超导磁场的8〜12英寸直拉式,区域熔化单晶炉和12英寸单晶硅生长炉的本地化,以及进入中环,有研、郑州合晶、金瑞泓等客户的供应链系统。此外,公司成功开发了6英寸碳化硅晶体生长炉,以进一步扩大第三代半导体设备的市场布局。
在光伏设备方面,2013年,公司成功研发出中国第一台单晶硅棒切割和磨削联合加工机。 2015年,成功开发了各种智能设备,例如单晶硅棒切割机和多晶硅块磨机,并开始涉足光伏电池,组件设备。 2017年,公司成功开发出高效太阳能电池组件自动堆垛机,实现了无母线叠层电池组件的生产,并当年顺利推广销售,成为国内首家实现GW级出货量设备的供应商。在半导体芯片设备方面,通过加强技术交流与合作以及自主研发,公司成功开发出一系列6-12英寸半导体单晶滚圆机,单晶硅切割机,双面研磨机,6- 8寸自动硅片切片机等新产品。其中,与齐滕精机合作成功开发了12英寸的倒圆机和裁断机,达到了行业领先水平;通过与Revasum合作成功将抛光机推向市场,并积极开发12英寸抛光机。
公司已经建立了大规模的高真空精密零件制造基地,用以投资高端半导体芯片制造的核心环节,并搭建了优越的产业平台,并逐步布局与半导体芯片相关的辅助材料,消耗品和关键产品。添加了半导体芯片抛光液,阀门等新产品,例如磁流体零件和16-32英寸坩埚。其中,抛光液是通过与韩国ACE Nanochemical Co.,Ltd.和Intel International Co.,Ltd.成立合资子公司Jingyan Semiconductor研发的。ACE抛光材料质量高,成本效益高,并且具有被许多海外客户认可的资质。公司充分结合了三方行业基础,技术品牌和市场资源的优势,在抛光液方面已经具有国产化的能力。
2020年前三季度,公司实现收入24.85亿元,同比增长23.81%,归属于母公司所有者的净利润5.24亿元,增长11.00%;其中,2020年第三季度,公司实现收入10.15亿元,同比增长22.40。%,归属于母公司所有者的净利润2.47亿元,同比增长12.07%。
A股上市公司光伏单晶炉龙头、第三代半导体芯片设备黑马股晶盛机电整体保持震荡上行格局,机构阶段性控盘结构,据大数据统计,主力筹码约为55%,主力控盘比率约为50%; 趋势研判与多空研判方面,可以参考DKX(5)参数为5,双线的多空排列作为方向参考,K线与DKX所处位置做多空参考。
硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。单晶硅主要用于制作半导体元件。用途: 是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等现在,我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用,晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料,随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材,外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。由于成本和性能的原因,直拉法(CZ)单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片,因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片,因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch-up的能力。硅片直径越大,技术要求越高,越有市场前景,价值也就越高。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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