怎样用半导体二极管及其电路来解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因，并说明热击穿与电击穿的异同？

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。

齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂志，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。

热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率，PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。

热击穿与电击穿的不同：电击穿可逆，而热击穿不可逆。

反向电场加大后,载流子动能加大,击穿了半导体的共价键,原本形成共价键的电子获得自由,这是击穿的原因之一.

原因之二,随着电场的加大,参杂物质向pn结的另一端运动,位移过大取代了另一个极性的掺杂物或原子,无法复位,使得pn结两端的参杂物互相污染,破坏了半导体的极性,表现出击穿效果.

而稳压管之所以击穿后能还能正常工作,在于载流子能够复位,如果不能复位,稳压管就损坏了.

个人看法,仅供参考.

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