温度对半导体导电特性的影响，我要具体详尽的说明，谢谢！！！注释：强调的是温度

拿其电阻率来说，电阻率主要决定于载流子的浓度和迁移率，两者均与杂质浓度和温度有关系。讨论纯半导体材料是，电阻率主要取决于本证载流子浓度ni，ni随温度升高会急剧增加，室温左右时，每8℃，硅的ni会增加大约一倍，而迁移率只是稍有下降，所以可以认为起电阻率相应的降低了一半左右。对于锗，每增加12℃，ni增加一倍，电阻率下降一半。本征半导体的电阻率随温度增加单调下降。对于杂质半导体：温度很低时，本征激发忽略，主要由杂质电离提供载流子，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高增大，所以电阻率下降。温度继续升高，杂质全部电离，本征激发还不显著时，载流子基本不变，晶格振动是主要影响因素，迁移率随温度升高而降低，所以电阻率随温度升高而增大。继续升高到本征激发很快增加时，本征激发称为主要影响因素，表现出同本证半导体相同的特征。

本征半导体是指结构完整的纯净的半导体（譬如单晶硅）

本征半导体在一定温度下，原子最外层电子有可能脱离共价键的束缚，从而成为自由电子，留下一个原来束缚电子的地方，叫空穴，电子带负电荷，空穴带正电荷（原来电中性的原子少了一个电子，带正电荷，我们也就叫空穴带正电荷了）

脱离束缚的电子（自由电子）的移动可以导电，空穴周围的价电子（注意是价电子，不是脱离束缚的自由电子）填补空穴，又会形成空穴的移动（价电子移动，空穴向相反方向移动），所以本征半导体中自由电子和空穴都是带电荷的可移动的粒子，称为载流子（所谓载流子就是在外加电场下能做定向运动的粒子，也就是说有载流子的物质才能导电）。上述产生电子空穴对的过程叫本征激发，自由电子与空穴重新结合称为载流子的复合。当本征激发与载流子复合的速率达到动态平衡时，本征半导体内载流子浓度就固定不变。

本征激发与温度有关，温度越高，价电子获得能量越大，就越可能脱离共价键束缚，本征激发就越强，载流子浓度就越高，导电性就越好，而在低温时，本证激发弱，载流子浓度低，所以可以将本征半导体看作绝缘体。本征激发受温度影响很大，而且本征半导体本身的导电性就不强，所以实际中的半导体都不是本征半导体，而是掺杂半导体。

首先咱们得弄清楚有电阻的原因,一个原因是晶格振动(晶体总有温度)这样晶格偏离规则的排列(BRAVIAS点阵排列),造成电子的BLOCH波有散射,形成电阻另一个原因是金属晶体不纯净,有杂质,这样也参与破坏了这个BRAVIAS点阵排列,对BLOCH波有散射.温度越高,晶格振动越激烈,对点阵的偏离越大,这样对BLOCH波的散射越厉害.这样,电阻率就增大了,随着温度的升高.

1、金属没有禁带,未成对电子全部是自由电子,即载流子浓度是恒定的,当温度升高时,自由电子热运动速度变大,其被晶格散射概率变大,故电阻变大；

2、半导体可分为本征半导体和杂质半导体讨论,对于本征半导体,随着温度的升高,电子浓度和空穴浓度增加幅度大于晶格散射减小幅度,所以电阻减小；而杂质半导体随着温度的升高,刚开始以杂质电离为主,电阻减小；然后等杂质全部电离完,以晶格散射占主要因素（载流子浓度基本不增加）,电阻增加；最后以本征半导体载流子增加为主,电阻减小（同本征半导体一样）.

详细的原因,你参考刘恩科的《半导体物理学》吧!

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