影响半导体器件响应特性的因素有哪些

如果是响应特性的话题主可能是想问半导体的响应速度，也就是对高频信号的响应。首先在半导体本身上面分析，就是看禁带的形状，因为这影响到电子在半导体内部的有效质量，禁带变化得越激烈，有效质量越小，受电场加速越快，响应速度就越快。同理还跟掺杂有关系，掺杂越多电子运动阻碍变多，弛豫时间变短，响应也会变慢。在期间层面上金属半导体结或者pn结之间的势垒相差太大，电子穿越的时候需要能量就高，响应也会变慢；还有就是半导体作材料时的厚度，接触面积都会影响传播的时间影响响应速度：材料越薄，接触面积越大，响应越快。如果没有回答对方向可以随时回复~

光电检测器件基本上就是pn结二极管（Si、Ge、pin结光电二极管）。其频率响应主要决定于pn结势垒电容（电容越大，响应速度就越慢）；这与半导体的掺杂浓度有关，也与pn结面积有关。掺杂浓度越高，势垒厚度越薄，则势垒电容就越大；pn结面积越大，势垒电容就越大。

pin结光电二极管的势垒电容很小，故响应速度较快；但是，如果其中i型层太厚的话，则光生载流子渡越i型层的时间太长，反而又影响到响应速度。

载流子在耗尽层中获得的雪崩增益越大，雪崩倍增过程所需的时间越长。因而，雪崩倍增过程要受到“增益-带宽积”的限制。在高雪崩增益情况下,这种限制可能成为影响雪崩光电二极管响应速度的主要因素之一。但在适中的增益下，与其他影响光电二极管响应速度的因素相比，这种限制往往不起主要作用，因而雪崩光电二极管仍然能获得很高的响应速度。现代雪崩光电二极管增益-带宽积已达几百吉赫。

与一般的半导体光电二极管一样，雪崩光电二极管的光谱灵敏范围主要取决于半导体材料的禁带宽度。制备雪崩光电二极管的材料有硅、锗、砷化镓和磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固熔体。根据形成耗尽层方法的不同,雪崩光电二极管有PN结型(同质的或异质结构的PN结。其中又有一般的PN结、PIN结及诸如 N+PπP+结等特殊的结构)、金属半导体肖特基势垒型和金属-氧化物-半导体结构等。

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