不过目前我在实验室里搞这些玩意。。关于腐蚀工艺，你会用到很多高强度的酸碱，有一定危害~目前腐蚀工艺里面伤害最大的是HF，氢氟酸。这玩意算是气体，用的时候一般是做成溶液的，如果沾到手上就很麻烦，一开始没什么感觉，疼的时候就太晚了。。最严重的时候是要截肢的。不过一般来说是有保护措施的，一般是：里面一层无尘服，口罩，橡胶手套；外面一层专门的防酸手套，防溅的外套，防酸或者防碱的头盔。
一般液体腐蚀工艺会用到HF，NaOH，HNO3等等，有毒气体除了HF倒没啥~
如果是干燥腐蚀工艺（Dry Etch）就更没事了，都是用机器做的，一般是用离子腐蚀
所以结论是，做好个人防护就没有事情~没什么太大害处~
前途这个，我不好说~抱歉鸟~
荣耀独立实属无奈 解决断供难题“浴火重生”
荣耀原先作为华为名下的子品牌，是华为用以对抗诸如小米、OPPO等公司的利器。荣耀的很多产品大多追求性价比和靓丽的外观，主要受众是年轻人，其产品与华为共用相同的系统和账号，在很多硬件方面有所重合。然而随着华为被挂上了“实体清单”，荣耀也受到了很大的牵连。按照往常的惯例，荣耀的新品发布会往往是在华为之后，在处理器上基本保持一致，在镜头、充电等细节方面略有不同，但是售价更加亲民，所以深受大众的青睐。自断供事件后，华为的手机由于芯片短缺，也开始采用联发科制造的芯片，例如华为畅享系列大多搭载了天玑800，而荣耀30青春版，荣耀X10 Max等中低端手机也是选择了使用天玑800芯片。
虽然看似荣耀和华为的中高端机型依旧是使用了自家的海思麒麟芯片，但是要知道，在去年的手机市场中，麒麟990 5G芯片的性能参数比起骁龙865来说差了不少，华为和荣耀在性能参数上并没有任何优势，而麒麟9000芯片正是在如此情况下被给寄予厚望。虽然麒麟9000芯片的性能可以和骁龙865，甚至是骁龙865+扳手腕，但是其为数不多的数量成为了一个无法解决的难题。最终，华为选择了出售荣耀，希望荣耀可以在剥离后能有更好的发展，同时也暂缓了其芯片不足，无暇供给给荣耀的窘境。
1月22日，独立后的荣耀发布了其2021年的第一款手机：荣耀V40。虽然依旧是采用了性能并不算强大的天玑1000+芯片，但是赵明在会后的采访中透露，荣耀已和高通、英特尔、AMD等多个厂商重新签订了合作协议，将会在未来发布更多更好的产品。可以说，华为独立荣耀的做法是具有远见的，虽是迫不得已，但同时也是最好的办法。任正非在送别荣耀的讲话当中提到：未来二者将会是对手，华为拿着“汉阳造”，荣耀拿着“洋q洋炮”对抗，希望荣耀能够在未来的时间里超越华为。
华为新品发布至今仍需抢购 降频芯片成破局关键
去年，华为隆重发布了麒麟9000处理器，以及搭载了这款处理器的华为Mate 40系列。从性能上来说，麒麟9000与前一代相比有着质的飞跃。在2020年智能硬件质量报告中，华为Mate 40 Pro获得了多项冠军，可以称得上是真正的年度机皇。就是这样一款受无数人追捧的手机，时至今日依旧需要抢购，并且经常会出现几十万人抢几部手机的情况，很多时候，大家都是无功而返。在个人店铺和某鱼上，全新未拆的华为Mate 40系列依旧需要加价购买，尽管加价已经没有刚发布时的1000元那么离谱，但是对于一款定价本就很高的手机而言，并不是所有消费者都负担得起的。
按照台积电生产的麒麟9000和麒麟9000E的共计1000万颗芯片的订单量来看，目前我们所看到的市面上的华为Mate 40系列仅消化了其中的一小部分。根据每月京东手机销量数据来看，华为于10月销售约20万台Mate 40 Pro、11月16万台、12月8.3万台，再加上本月的销量，估计约为50万台，即便淘宝的销量高于京东，所有搭载了麒麟9000和麒麟9000E的机型销量不会超过200万，即便是与华为内部员工所说的800万颗相比也是相去甚远。1月21日，根据财联社APP的消息，华为内部人士说：“800万片麒麟9000，如果放在P40上早卖完了，我们预留了相当一部分给后续的P50和Mate50”，由此可见，华为对手机业务的策略基本上是：用有限的芯片无限延长手机业务的生命周期，后续的机型仍将相继发布。
综上来看，限购，分时段购，预约抢购等实属无奈之举。由于麒麟9000的订单已经完成，后续很难再有补充，如何在现有的情况下细水长流才是当务之急。从手机行业来说，芯片产能不足，或是芯片性能低下，都将成为其巨大的短板。目前华为正处于独木难支的阶段，比起解决断供难题，如何让公司正常运作，并且发布新品才是关键。
此前在华为Mate 40系列的发布会上，Mate 40由于某些原因被推迟发布。据了解，Mate 40搭载了麒麟9000E芯片，是麒麟9000的低配版，同样是5nm但能耗更低。根据测试来看，麒麟9000E有着完全不逊色于麒麟9000的性能，以及更好的功耗。
而这就是华为方面的解决之法：挑拣出芯片生产过程中的次品，屏蔽不好的核心而后再利用。这一举措下的产物除了麒麟9000E，还有上一代的期间芯片麒麟990E，以及近日悄然发布的nova 7 SE乐活版上使用的麒麟820E。就麒麟820E为例，通过屏蔽原本为8核的麒麟820中的一个大核A76，以及一个小核A55，实现了阉割的效果。总体来说工艺依旧是7nm，且GPU并没有改变。根据测试来看，阉割版后的芯片功耗更低了，虽然性能有所下降但还在可接受的范围之内。可以说，华为为了公司的可持续发展，可谓是煞费苦心。
断供危机的出路在何方？如果Mate 50系列不换处理器你还会买账嘛？
随着小米11首发骁龙888发布以来，华为方面受到的压力也是愈来愈大。从性能上来看，
骁龙888比麒麟9000更强，但是在能效方面难以与上一代的骁龙865、以及麒麟9000相比，不少网友也反应小米11有续航差的问题。为了应对这一问题，骁龙方面表示未来将会发布麒麟870芯片，是骁龙865+的升级版，用以补上高端芯片阶梯中的缺口。如此一来，麒麟9000E的优势或许会逐渐消失，加上联发科即将发布的天玑1200芯片，最终鹿死谁手仍是个谜。
在断供问题没有解决之前，华为的每一次手机新品发布会都将举步维艰。倘若今年下半年才会发布的Mate 50依旧使用了麒麟9000芯片，试想一下，消费者们会买账吗？相信到了那个时候，苹果方面也会发布最新的A15芯片，而高通方面也已经发布了骁龙888的超频版本，撇去情怀，麒麟9000的立足之地将会变得很小。恰逢漂亮国新政府上台之际，对于华为的制裁行为势必会更加激烈，如此的未来一年对于华为来说，荆棘遍布。
那么如此危局的解决之法是什么？在笔者看来，唯有自主研发。中芯国际作为中国芯片制造业的最高水平，其技术的突破将会是华为唯一的出路。去年12月，中芯国际正式宣布将投入500亿开始研发光刻机，剑指7nm芯片，而这对于华为而言是一个好消息。长久以来，光刻机的制造技术一直被外企垄断。前几日，著名光刻机制造厂商ASML交付了第一台YieldStar 385 检测系统，可用于3nm制程要求。此前中芯国际也向ASML订购过光刻机，但是至今仍未收到。据笔者了解，ASML的大部分光刻机都售卖给了三星和台积电等巨头，而这也是三星和台积电有着生产芯片能力的根本原因。
或许在外人来看，中芯国际目前正在研发的7nm制程已经有些落后，但是笔者认为，从现在开始赶超还不算太迟。要知道，天玑1000+用的也是7nm的工艺，但是性能仍能保持在中上游。而著名硬件厂商AMD于去年发布的CPU，采用的也是7nm工艺，更不要说至今仍在使用14nm工艺的intel了。由此可见，7nm工艺在CPU生产制造行业仍是主流，中芯国际只要成功研发7nm工艺，那么5nm还会远吗？
因特尔的创始人摩尔，曾经根据其经验总结出了一个有关半导体行业的规律，其核心内容为：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍。换言之，处理器的性能每隔两年翻一倍。然而在最近召开的一个芯片领域大会上，中芯国际副总裁蒋尚义表示摩尔定律目前即将面临失效，行业的大趋势将会迎来大变化，不同行业领域将会需要不同类型的芯片。可以说，随着硅晶圆所能承载的光刻技术达到极限，摩尔定律势必会逐渐放缓，也就是我们常说的：行业发展瓶颈期。按照现有的情况来看，目前PC端的顶尖CPU，例如AMD的5600X，其制程为7nm；而手机端的顶尖CPU，例如麒麟9000，其制程则是在5nm。由此可见，随着各行各业被不断细分，同一零件在不同行业会因为需求的不同，从而导致规格不同，摩尔定律的普适性将不复存在。而这也将会导致各大代工厂的动荡，台积电或将首当其冲。这对于中芯国际而言是喜还是忧，笔者也无法预料。
就在笔者撰写此文的间隙，恰好看到36氪的一则短讯，称据知情人士透露，华为正与上海政府支持的企业牵头的财团谈判，有意出售其高端智能手机品牌的P和Mate系列，而谈判的原因就是因为芯片供应不足。笔者希望这一则消息仅为谣传，因为倘若华为将高端手机系列出售，则意味着华为将退出高端手机市场。如果到了迫不得已的时候，这将会是华为的最后一步棋，而中国手机市场也将再次洗牌。
总结
就像此前任正非选择自研海思处理器的决策一样，只有不受制于人才能积极面对不可知的未来。中芯国际7nm制程光刻机的研发，也正是意识到了这一点。相信在未来的某一天，海思麒麟将不再受制于他人，真正做到自研自产，让大家都用上真正的中国芯！
前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。
湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高，仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化，还需要进行综合评估，以解决多步骤的问题。
扩展资料：
这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，与之相对应的是后道(back end of line，BEOL)工艺，后道实际上就是建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连。
新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料，例如：后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料，它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。
参考资料来源：百度百科-后道工序
参考资料来源：百度百科-半导体
参考资料来源：百度百科-前道工艺
欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）