改变半导体局部导电性的重要方法？

改变半导体局部导电性的重要方法主要有以下几种：

掺杂：在半导体材料中掺入不同的杂质原子，可以改变材料的导电性质。掺入五价元素（如磷、砷等）可以形成N型半导体，掺入三价元素（如硼、铝等）可以形成P型半导体。

离子注入：通过离子注入技术，在半导体表面形成高能离子轰击区域，使局部区域的导电性质发生改变。离子注入通常用于制作集成电路器件的精细控制区域。

光刻技术：利用光刻技术在半导体表面覆盖一层光刻胶，并在胶面上利用投影机将芯片上的图形投影到光刻胶上，最后在芯片表面暴露出光刻胶中未被覆盖的部分。通过这种方式，可以在芯片表面形成精细的图形结构，进而改变半导体的局部导电性。

聚焦离子束（FIB）技术：FIB技术利用高能离子束在半导体表面进行刻蚀和刻划，可以制作出微米级别的半导体器件结构。通过这种方法可以在半导体表面形成局部结构，进而改变局部区域的导电性质。

这些方法通常用于半导体器件的制造和修饰，可以在半导体表面形成精细的结构和控制区域，对于半导体器件的性能和功能的提升非常重要。

立方毫米？现在的芯片计算集成度的时候，用的尺寸是平方吧，只看面积不看体积的。因为芯片虽然是多层结构，但是芯片上的晶体管只有一层，其他的都是金属互连线及绝缘层。

至于说器件面积，要考虑其具体工艺才能定论，而且一般来说不会去计算器件的面积，因为在生产的时候，晶体管很多时候是特别定制的，比方说有多栅结构等，面积没有一个具体的计算公式。所以在衡量器件尺寸的时候，讨论的是它的关键尺寸的线宽，一般是晶体管的栅氧层多晶硅连线的线宽，目前关键尺寸一般是90纳米、65纳米、45纳米，前面那个兄弟说的3.5*10^-6肯定不对啦，实在是太大了，至少大了5-7个数量级。

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