被卡了脖子的中国半导体行业会崛起吗？我们需要几年才能取得突破呢？

我认为中国的半导体行业必然会崛起，任何国家都无法阻挡中国的崛起。要想在半导体行业有所突破，我认为预计需要10年的时间。

我国一直以来都致力于芯片行业的生产和制造，但是在芯片领域方面，我们已经落后欧美国家太多地方了。归根结底，是因为我们起步时间晚于欧美国家，而且欧美国家不愿与我们进行技术分享，甚至进行了全面的技术封锁。这也直接导致了我国的芯片领域方面存在很多技术性短板，在短时间之内还是无法实现超越。

被卡了脖子的中国半导体行业会崛起吗？

至于中国的半导体行业是否会崛起，我的答案是肯定的。但是要想在一两年之内恢复，关键是不太可能的。一起来美国等西方国家总是制裁我国，尤其是喜欢在芯片领域方面。当然这也是美国等西方国家一贯的做法，芯片也是我们为数不多的短板之一。因此，我国的芯片以及半导体行业的发展已经被欧美国家卡脖子。

预计10年之内可以实现。

至于中国半导体行业何时能够崛起，我认为时间需要在10年之内。因为我们与西方欧美国家的技术差距，相差整整10年左右。不过这也是由于当前现状所决定的，一方面我国没有先进的人才，另一方面也是没有更加高端的精密仪器。无论是哪一方面，我们都存在很多的缺陷。因此我国也正在不断的努力，改善我国芯片方面的不足，也正在进一步缩小双方之间的差距。

中国芯片已经取得了很大的进步。

其实中国的芯片在很短的时间之内已经取得了很大的进步，即使与欧美国家仍然具有一定的差距。但是要相比较，上个世纪而言，我国的芯片产业在很短的时间之内有了很大的突破。这在西方欧美国家看来完全是一个奇迹，因为从无到有，一直以来都是中国的做法。

中国半导体产业的崛起始于20世纪90年代初，当时中国政府提出了“抓住机遇，发展半导体产业”的口号，并鼓励企业投资半导体产业。随着投资的增加，中国的半导体产业开始迅速发展，并在21世纪初迅速崛起。

首先，中国政府加大了半导体产业的投资，引进了先进的技术，加快了半导体产业的发展，推动了中国半导体产业的崛起。其次，中国的半导体企业不断提升其产品的质量和技术水平，拓宽了其在全球市场的影响力，有力地推动了中国半导体产业的崛起。最后，中国政府还大力推行科技创新，支持半导体企业进行技术研发，进一步提高了中国半导体产业的竞争力，有力地推动了中国半导体产业的崛起。

综上所述，中国半导体产业的崛起是由政府大力投资、企业努力提升质量和技术水平以及科技创新等因素共同促成的。

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)三安光电(600703)士兰微(600460)闻泰科技(600745)新洁能(605111)露笑科技(002617)斯达半导(603290)等。

定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年以来，在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2021年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现总产值达127亿元，较2020年增长20.4%。

其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%，较前两年稍有放缓。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。

2021年，第三代半导体产能建设项目如火如荼开展，据CASA不完全统计，2021年大陆地区SiC衬底环节新增投产项目7项，披露新增投产年产能超过57万片。三安半导体、国宏中能、同光科技、中科钢研、合肥露笑科技等企业相继宣布进入投产阶段。此外，微芯长江、南砂晶圆、泽华电子三家宣布SiC项目工程封顶。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品以来进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模超70亿元

2017-2021年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长。2021年我国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模达到71.1亿元，同比增长51.9%，第三代半导体在电力电子领域渗透率超过2.3%，较2020年提高了0.7个百分点。

目前，GaN电力电子器件主要应用在快充领域。SiC电力电子器件重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车领域的渗透快于整车市场，占比达57%PD快充占9%PV光伏占了7%。

2021年，我国GaN微波射频器件市场规模约为73.3亿元，同比增长11%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

全国各地5G基站建设在近几年达到高峰，2021年无线基础设施是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，占比约50%，其次为国防军事应用，市场占比约为43%。

更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。

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