半导体封装设备都有哪些连线方式？哪个比较好？

半导体封装制程设备主要有串联、串并结合以及并联模式，并联模式目前只有卓兴半导体在采用，也是他们率先实现的一种连线方式，这种方式比串联和串并结合都要好。纯并联模式下每台设备都是“单兵作战”，不会受某台设备宕机影响。而传统的串联或者串并结合的模式，一台设备宕机的话，其他设备都要停下来等待，这样很不利于产能的提升。综合来讲纯并联模式产线稼动率更高，这对设备又有更高的要求，单机要完成RGB固晶，保证一台设备完成整套固晶环节，目前只有卓兴半导体能做到这一点。

半导体存储器有体积小、存取速度快、生产制造易于自动化等特点，其性能价格比远远高于磁芯存储器，因而得到广泛的应用。

半导体存储器的种类很多，就其制造工艺可以分成双极型半导体存储器和金属-氧化物-半导体存储器(简称MOS型存储器)。MOS型存储器按其工作状态又可以分为静态和动态两种。动态存储器必须增设恢复信息的电路，外部线路复杂。但其内部线路简单，集成度高，价格较静态存储器便宜。因此经常用做大容量的RAM。

静态存储器和动态存储器的主要差别在于:静态存储器存储的信息不会自动消失，而动态存储器存储的信息需要在再生过程的帮助下才能保持。但无论双极型或MOS型存储器，其保持的信息将随电源的撤消而消失。

(1)RAM的组织

半导体RAM芯片是在半导体技术和集成电路工艺支持下的产物。一般计算机中使用的RAM芯片均是有自己的存储体阵列、译码电路、读写控制电路和I/O电路。

①RAM的并联

为扩展存储器的字长，可以采用并联存储器芯片的方式实现。

②RAM的串联

为扩展存储器的存储单元数量，可以采用多个芯片地址串联的方式解决。

③地址复用的RAM组织

随着大规模集成电路技术的发展，使得一块存储器芯片能够容纳更多的内容。其所需地址线随之增加，为了保持芯片的外部封装不变，一般采用地址复用的技术，采用地址分批送入的结构**不增加芯片的地址引脚。

(2)RAM的实际应用

由于一个存储器的芯片一般不能满足使用的要求，所以通常将若干个存储器芯片按串联和并联的两种方式相结合连接，组成一定容量和位数的存储器。

如果设计的存储器容量有x字，字长为y，而采用的芯片为N×M位。要组成满足字长要求的存储器所需芯片数为:y/M。根据容量要求，组成要求容量的RAM所需芯片数为:(x/N)×(y/M)。

2017年全国计算机考试四级复习纲要：RAM的结构、组织及其应用.doc

两者是不同的管型，一般此类功率器件多数是并联来提高工作电流，而串联只能升高工作电压，而要提高工作电压可以选择耐压较大的管子，不必用管子来串联提高，没有必要！至于是否能加管子那要看电路的功率余量（电源、输出、驱动）一般是不行的。

单管IGBT属于绝缘门极晶体管 ，第四代逆变技术。相对MOS管皮实耐用，MOS场效应管，属于第三代逆变技术。多个MOS管串联，其中一个炸管其他全炸。效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

---