场效应管是利用电场效应来控制晶体管的电流,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。
电压被称作电势差或电位差,是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。
可以用单片机的PWM信号控制mos管的开通和关断,然后mos管后端接负载。
一个MOS管,PWM的占空比变化(比如从50到100%),MOS管输出电压(比如100V)会变化(在这样的情形下,比如在纯阻性负载上,其峰值电压还是100V,平均值为50V)。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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