电注入工艺原理是什么

电注入工艺原理即是离子注入技术原理 ， 离子注入工艺在现代半导体工艺中已是比较成熟的工艺。在超高速、微波、和中大规模集成电路制备中，器件的结深，基区的宽度，都小到只有零点几微米，杂质浓度分布也有更高的要求（有的甚至要求杂质浓度很淡），这靠普通的扩散工艺是难以达到的。而离子注入工艺恰好能弥补扩散工艺的不足，制造出理想的PN结来。

光注入、电注入优缺点对比

无论是电注入还是光注入，本质上都是使用载流子注入的方式来提高氢对缺陷的钝化效率，因此，所谓的优缺点或者说是差异都在于工程实现上，关于两者之间的优缺点，见仁见智，每一种技术都有它存在的意义和价值，主要看哪一种比较适合客户的具体需求，能否高性价比的解决客户的问题。

随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断减小，结深降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术比较好的发挥其优势。目前，结深小于1um的平面工艺，基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子注入技术已经成为VLSI生产中不可缺少的掺杂工艺。

离子注入具有如下的特点:

①可以在较低温度下（400℃）进行，避免高温处理；

②通过控制注入时的电学条件（电流、电压）可以精确控制浓度和结深，更好的实现对杂质分布形状的控制。而且杂质浓度不受材料固溶度的限制；

③可选出一种元素进行注入，避免混入其他杂质；

④可以在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层。同一晶片上杂质不均匀性优于1％，且横向掺杂比扩散小的多；

⑤控制离子束的扫描区域，可实现选择注入并进而发展为一种无掩模掺杂技术。