2、作用:不但可以直接利用半导体现有200mm晶圆制程,达到高集成度,据以创造经济规模,还有媲美GaAs的高速特性。随着近来IDM大厂的投入,SiGe技术已逐步在截止频率(fT)与击穿电压(Breakdownvoltage)过低等问题获得改善而日趋实用。
3、SiGe既拥有硅工艺的集成度、良率和成本优势,又具备第3到第5类半导体(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))在速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感,就可以采用SiGe半导体技术集成高质量无源部件。
玻璃属于混合物,主要万分是二氧化硅和硅酸钠,它们不能有序排列不能造成晶体。在各个方向上微粒间的受到的力也不相等因而没有固定的熔点。硅半导体的成分是硅,硅原子有序地排列成晶体,各方向硅原子之间的作用力相等因而有确定的熔点。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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