胶水的制作方法如下:
所需材料:容器1个、小苏打适量、牙膏、洗洁精。
1、准备1个容器,在容器里倒入一段牙膏。
2、倒入适量的小苏打。
3、加入一勺面粉。
4、加入一些洗洁精。
5、将它们搅拌均匀。
扩展资料:
1、受力情况。
当被粘物受剥离力,不均匀扯离力作用时,可选用韧性好的胶,如橡胶胶水、聚氨酯胶等当受均匀扯离力、剪切力作用时,可选用硬度和强度较高的胶,如环氧胶、丙烯酸酯胶。
2、温度情况。
不同的胶水有不同的耐热性。根据不同的温度, 选用不同的胶水。
牙膏胶水。把牙膏挤到一个杯子中,加入一勺生粉,再加入适量的开水进行搅拌,充分搅拌后即可使用。
胶水就是能够粘接二个物体的物质。胶水不是独立存在的,它必须涂在二个物体之间才能发挥粘接作用。胶水中的化学成分,在水性环境里。胶水中的高分子体(白胶中的醋酸乙烯是石油衍生物的一种)都是呈圆形粒子,一般粒子的半径是在0.5~5μm之间。
胶水的粘度用布氏粘度计测出,单位是“cps厘泊”。胶水的粘度的读数一般在300~30000cps之间。在水溶性的粘合剂中,固体含量并不决定胶的粘度,而在于胶水的配方内的增塑剂、增粘剂等等,影响胶水的粘度值。一般情况下周围的环境温度越高“粘度↓”,“温度↓粘度↑”。水在27℃时的粘度为1。
经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使光刻胶溶于有机溶剂中,从而达到去胶的目的。有机溶剂去胶中使用的溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂。无机熔液去胶的原理是利用光刻胶本身也是有机物的特点(主要由碳和氢等元素构成的化合物),通过使用一些无机溶剂(如硫酸和双氧水等),将光刻胶中的碳元素氧化称为二氧化碳,这样就可以把光刻胶 从硅片的表面除去。不过,由于无机熔液会腐蚀AL,因此去除AL上的光刻胶必须使用有机溶剂。 干法去胶则是利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子为例,硅片上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应,生成的气态的CO,CO2和H2O可以由真空系统抽走,相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好,但是由于干法去胶存在反应残留物的玷污问题,因此干法去胶与湿法去胶经常搭配使用。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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