半导体litho和etch区别

半导体litho和etch区别,第1张

区别在于工艺研发不同。

etch意思是干法刻蚀,lithography,litho,photo都指光刻。etch只负责etch工艺研发,litho只负责litho工艺研发。工艺部门最好的是litho第二是etch。

一般半导体研发中litho在前,etch在后。litho曝光完成对图案的传递后,再利用etch蚀刻技术把图案转移到光刻胶下面的film中。

lpt=lower power tech,

hlp=high-performance low power,

hpm=high performance mobile移动高能低功耗工艺,台积电主要指hkmg

litho是浸染式光刻,193nm波长,1.35的折射率,晶圆技术。

salicide自对准硅化物,形成电触头之间的半导体 装置和支承互连结构,soc里控制电阻的部分,对应的是SILICIDE、和POLYCIDE。

back end of line,beol——后端布线,soc各具体部分(晶体管,电容器,电阻器等)在晶片上的互连布线。

采用copper铜布线,介电常数k=2.5

漏源极嵌入硅锗技术(eSiGe)

都是微电子的术语。


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