因为磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。
霍尔效应为磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。
当电流通过金属箔片时,若在垂直于电流的方向施加磁场,则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显,而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。由于通电导线周围存在磁场,其大小和导线中的电流成正比,故可以利用霍尔元件测量出磁场。
扩展资料:
霍尔元件的相关情况:
1、磁场的一个磁极靠近它,输出低电位电压(低电平)或关的信号,磁场磁极离开它输出高电位电压(高电平)或开的信号,正面感应磁场S极,反面感应N极。
2、因为磁场有两个磁极N、S(正磁或负磁),所以两个磁极分别控制双极性霍尔开关的开和关(高低电平),它具有锁定的作用,也就是说当磁极离开后,霍尔输出信号不发生改变。
3、在静态(无磁场)时,从理论上讲,输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。
参考资料来源:百度百科-霍尔元件
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半导体层的作用是,解决局部电压场强的问题,避免局部产生陡峭的电压梯度,引起局部过电压而造成击穿等事故。
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