p型半导体中掺入的三价元素是什么

p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度。

在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

扩展资料：

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

参考资料来源：百度百科--P型半导体

参考资料来源：百度百科--半导体

在Ge、Si的单质（原子晶体）中，所有的原子都被束缚在晶格中，所有的价电子（最外层的4个电子）都用来和周围的原子成键。所以这种情况下电子很难在外电场的作用下运动起来，宏观上就表现为物质导电能力很低。

掺杂之后，掺入的原子仍然被束缚在晶格里，“不得不”和周围的4个Ge、Si原子形成四个共价键，但是价电子过剩（5个）或不足（3个），这样就产生了自由电子或空穴，而自由电子和空穴是可以充当载流子的，所以半导体的导电能力大幅度提高了。

其中，p型半导体也就是楼主所说的“空穴半导体”

二氧化钒(VO₂)（vanadium dioxide） 是一种具有相变性质的金属氧化物，其相变温度为68℃，相变前后结构的变化导致其d产生对红外光由透射向反射的可逆转变，人们根据这一特性将其应用于制备智能控温薄膜领域。中文名二氧化钒外文名vanadium dioxide相变温度为68℃分子式VO₂；V₂O4目录1 性质2 应用3 多相竞争性质编辑深蓝色晶体粉末，单斜晶系结构。密度4.260g/cm3。熔点1545℃。不溶于水，易溶于酸和碱中。溶于酸时不能生成四价离子，而生成正二价的钒氧离子。在干的氢气流中加热至赤热时被还原成三氧化二钒，也可被空气或硝酸氧化生成五氧化二钒，溶于碱中生成亚钒酸盐。可由碳、一氧化碳或草酸还原五氧化二钒制得。用作玻璃、陶瓷着色剂。

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