电导率σ=2Ω -1 CM -1,相对介电常数=介质的介电常数/真空介电常数,相对磁导率=介质磁导率/真空磁导率。
砷化镓是一种化合物半导体材料,分子式GaAs。立方晶系闪锌矿结构,即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格,其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV,是直接带隙半导体,熔点1238℃,质量密度5.307g/cm3,电容率13.18。
扩展资料:
注意事项:
1、与众多硅电路相同,砷化镓芯片也是静电敏感器件,应该接地 *** 作。
2、砷化镓不应有高温工艺。因为芯片温度不能超过320℃,所以焊接放置芯片和封盖 *** 作时应特别注意。
3、砷化镓包含砷元素,是作为有毒材料对待的。报废产品应该放置于合适的容器中(第十五节)。 第十四节包含对在封装件内部的芯片底部接触放置的指引。
参考资料来源:百度百科-砷化镓
参考资料来源:百度百科-电导率
参考资料来源:百度百科-相对介电常数
参考资料来源:百度百科-相对磁导率
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