提高半导体材料的禁带宽度怎么

你好，请问是想问怎么提高半导体材料的禁带宽度吗？提高半导体材料的禁带宽度如下：

1、添加参杂去提高；

2、改变材料的大小。禁带宽度指的是一个能带宽度,也叫做带隙,单位是电子伏特(eV)。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。

半导体光催化活性与带隙宽度有一定关系，但是不是成正比。

有些光催化剂是通过掺杂而增大带隙，也有的是通过掺杂而使带隙变窄，但光催化活性提高了。一般是通过掺杂使光催化剂的吸收边向长波方向移动，会增大光吸收率，从而提高光催化活性。总之，提高光催化活性是真正目的，改变其带隙只是方法。

“导带电位变得更负，而价带电位变得更正，使光生电子和空穴具有更强的氧化还原能力

”这句话感觉说的有点牵强，因为不是所有的都如此。

以上是个人的理解，供参考。

半导体掺杂之后会引入杂志能级，以目前主流的半导体Si进行掺杂为例： Si为4族元素，掺杂3族元素B，B元素电离后作为受主能级存在在半导体之中，形成P型半导体。

此时Si元素为杂志提供了电子，则半导体中载流子为空穴。

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