金属导电与半导体导电有什么区别

在能带结构模型中，金属的导电能力是由费米能级附近的电子移动能力决定的。而半导体的导电能力是由价带顶附近的空穴，以及导带底的电子的共同的移动能力决定的。电子，空穴的有效质量不相等(同一个能带中的电子，空穴的有效质量是相等的；我的意思是说导带电子的有效质量与价带中空穴的有效质量不一样)，因此这两者的导电性能要分开讨论。

在能带结构模型中，金属的导电能力是由费米能级附近的电子移动能力决定的。

而半导体的导电能力是由价带顶附近的空穴，以及导带底的电子的共同的移动能力决定的。电子，空穴的有效质量不相等(同一个能带中的电子，空穴的有效质量是相等的；我的意思是说导带电子的有效质量与价带中空穴的有效质量不一样)，因此这两者的导电性能要分开讨论。

半导体和金属导体的导电机理的不同有：半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子，使半导体导电；金属导体内部存在大量的可以自由移动的自由电子，这些自由电子在电场力的作用下定向移动而形成电流，使金属能够导电。

离子晶体不导电，熔化或溶于水后能导电。离子晶体中，离子键较强，离子不能自由移动，即晶体中无自由移动的离子，因此离子晶体不导电。离子化合物溶于水时，阴、阳离子受到水分子的作用后变成了自由移动的离子（或水合离子），在外界电场作用下，阴、阳离子定向移动而导电。

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