硅材料的各向异性主要指什么

硅工艺上主要利用硅的各向异性是在腐蚀、刻蚀方面。如单晶硅与碱的各项异性腐蚀：由于各晶面原子排列密度、方式不同，导致其纵向横向的反应速率不同，从而其在纵向和横向上在相同液体、温度、时间的条件下纵向腐蚀的深度与横向腐蚀的长度不同。

这个好像是半导体,太阳能电池中常用的说法-制绒.我就把我知道的说说.硅腐蚀技术是硅微机械(Micromachining)加工中最基础、最关键的技术,它通常有两种:干法腐蚀和湿法腐蚀.根据腐蚀剂的不同,硅的湿法腐蚀又可分为各向同性腐蚀和各向异性腐蚀.各向异性腐蚀则是指硅的不同晶向具有不同的腐蚀速率,也即腐蚀速率与单晶硅的 晶向密切相关.另外硅的各向异性腐蚀速率还与腐蚀剂类型、配比、反应温度等各参数有关.因此 基于硅各向异性腐蚀的这些特性,便可以靠调整器件结构使它和快腐蚀的晶面或慢腐蚀的晶面相适应,从而利用腐蚀速率依赖于上述各参数的特点实现适当控制在硅衬底上加工出各种各样的微结构.这种化学腐蚀技术可以是一层层分子来进行的,在很好的控制下可以使加工精度达到纳米级,为器件精密侧面加工提供了一种适当的方法,已成为三维结构硅微机械加工的关键技术更为重要的是 这一技术能够和IC(集成电路)工艺相兼容,再结合其它处理技术可以制作应用广泛的MEMS(微机电系统)和微系统器件.常用各向异性腐蚀剂 关于硅各向异性所用的腐蚀剂,目前所有已知的溶液都是碱性的,一般可分为两类:一类是有机腐蚀剂,包括EPW(乙二胺,邻苯二甲酸和水)、TMAH(氢氧化四甲基胺)等另一类是无机腐蚀剂,包括碱性溶液,如KOH、NaOH、LiOH、CsOH和NH3·H2 O等,这两类腐蚀剂具有非常类似的腐蚀现象,因此可得出OH- 在此反应中起着重要作用的结论 .后来为了得到在某种条件下满意的硅腐蚀的各向异性以及腐蚀表面,常在其中加入添加剂,如:配合剂异丙醇(IPA) ,强氧化剂次氯酸盐

单晶硅与碱的各项异性腐蚀，主要是由于各晶面原子排列密度、方式不同引起的。与其中的掺杂类型无关。因为典型的掺杂为ppm极，即含量很少。当然你要是说我家的掺杂很重，重到破坏大部分晶格的排列了，那肯定有影响、近乎同性腐蚀了。不过即使这样也与导电型号无关。

另外跟<100>晶相也无关。因为不管什么晶相都会主要沿（111）面刻下去。然而只有（100）的硅腐蚀绒化效果最好。

腐蚀的重要参数是碱液浓度和温度。这是后话，按下不表。

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