p型半导体中多数载流子是什么？

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

如果半导体中电子浓度大时，电子就是多数载流电子，空穴就是少数载流电子。相反，如果该半导体中空穴浓度大时，空穴就是多数载流电子，电子就是少数载流电子。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体，N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

扩展资料：

P型半导体中多数载流子为空穴，空穴是带正电荷载流子。N型半导体中多数是自由电子，自由电子是带负电荷载流子。

是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

参考资料来源：百度百科-空穴型半导体

P型半导体又叫空穴型半导体，在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼、铝)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。由于硼或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。 N型半导体又称为电子型半导体，在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。由于磷原子周围有5个价电子，与周围4价硅原子配位共价键外还有一个多余电子，形成自由电子。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。 在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。 在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区。由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。 PN结存在结电容，因此PN结的单向导电性有个允许的最高工作频率。结电容越小，允许的工作频率越高。

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