砷化镓(GaAs)属于第三代半导体，用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。推广砷化镓等发

(1)1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 3 或[Ar]3d 10 4s 2 4p 3 (2)4 (3)BCDE (4)三角锥形；sp 2 (5)NH 3 分子间能形成氢键，而AsH 3 分子间不能形成氢键

（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误；

B．同周期元素从左到右第一电离呈增大趋势，但第VA族大于第IIIA族，第IIA族大于第IIIA族，所以则第一电离能：As＞Ga，故B正确；

C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确；

D．砷和镓的价层电子都为sp电子，位于周期表p区，故D正确；

E．GaP的价层电子为3+5=8，SiC的价层电子为4+4=8，GaAs价层电子数为3+5=8，则为等电子体，故E正确；

故答案为：BCDE；

（2）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有CH4，反应的化学方程式为：（CH3）3Ga+AsH3

700℃

GaAs+3CH4，

故答案为：（CH3）3Ga+AsH3

700℃

GaAs+3CH4；

（3）AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH3）3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化，故答案为：三角锥；sp2；

（4）Ga的原子序数为31，核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1，故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1；

（5）N原子半径较小，电负性较大，对应的NH3分子间能形成氢键，沸点较高，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键，沸点较低，

故答案为：NH3分子间能形成氢键，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键．

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