在电缆结构上的所谓“
屏蔽”,实质上是一种改善电场分布的措施。电缆导体由多根导线绞合而成,它与绝缘层之间易形成气隙,导体表面不光滑,会造成电场集中。在导体表面加一层半
导电材料的屏蔽层,它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触,从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电,这一层屏蔽为内屏蔽层;同样在绝缘表面和
护套接触处也可能存在间隙,是引起局部放电的因素,故在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层,它与被屏蔽的绝缘层有良好接触,与金属护套等电位,从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电,这一层屏蔽为外屏蔽层;没有金属护套的挤包绝缘电缆,除半导电屏蔽层外,还要增加用铜带或铜丝绕包的金属屏蔽层,这个金属屏蔽层的作用,在正常运行时通过电容电流;当系统发生短路时,作为短路电流的通道,同时也起到屏蔽电场的作用。可见,如果电缆中这层外半导体层和铜屏蔽不存在,三芯电缆中芯与芯之间发生绝缘击穿的可能性非常大。半导体在制造LTPS TFT-LCD器件中,PECVD工艺用于在基底上制造a-si预置膜。这种方法适宜于批量消费LTPS TFT-LCD器件。目前应用的PECVD装备已经开展到第四代。在这一历程中,制造的a-si以及SiN膜的平均度与质量均有了较大的进步。然而各代装备的投资效益却呈降落趋向(表3)。目前正通过改良等离子体曝射、催化CVD法、免脱氧工艺等方法来进步投资效益。
表3 各代PECVD装备的投资效益 。
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半导体在“SID 2009”上,UDC与LG显示器协作开发的面板为4英寸QVGA,亮度为全白100cd÷m2。此次的展品估计是以该面板为基本自主开发的。
高压电缆的半导电层起均衡电场的作用。因为导体绞制之后,会有导体表面形成很多的小突起,突起地方的电场会远高于其它地方,所以挤上一层半导电层均化电场。外半导电层电缆的外半导电层也由混有炭黑或极细金属微粒的高分子材料XLPE组成厚0.5到1.0mm,它和内半导电层的作用一样,用以降低损耗和防止局部放电,它通过接地电阻与接地系统相连,保持着地电位。
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