退火的技术

半导体退火

半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有激活施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C，比热扩散掺杂的温度要低得多。

蒸发电极金属退火

蒸发电极金属以后需要进行退火，使得半导体表面与金属能够形成合金，以接触良好（减小接触电阻）。这时的退火温度要选取得稍高于金属-半导体的共熔点（对于Si-Al合金，为570度）。

Al2O3/SiO2和AR硅片退火技术可以改善半导体器件的可靠性和性能，因为它们可以减少热应力，改善器件的结构，改善器件的尺寸精度，改善器件的电性能，以及改善器件的耐久性。Al2O3/SiO2硅片退火技术可以改善半导体器件的结构，改善器件的尺寸精度，改善器件的电性能，以及改善器件的耐久性。AR硅片退火技术可以改善半导体器件的结构，改善器件的尺寸精度，改善器件的电性能，以及改善器件的耐久性。此外，这两种技术还可以改善半导体器件的可靠性，减少器件的损耗，提高器件的稳定性，减少器件的故障率，以及提高器件的可靠性。