国产芯片再次“破冰”，三大核心技术被攻克，白宫也没料到这么快

我国拥有强大的芯片设计水平，很多企业都能设计出高端芯片。比如华为海思，紫光展锐都可以设计5nm乃至6nm的芯片，实力不可小觑。

但是在制造方面，中国大陆实力最强，规模最大的中芯国际只能量产14nm工艺的芯片。目前为止还并未突破10nm以下的工艺量产制程，所以大陆先进的芯片设计公司，几乎都是找台积电代工。

可是按照市场规则，有些企业的订单台积电是不能接的。如果长期都无法生产代工，库存芯片很快就会消耗殆尽。要是市场规则不被打破，那么解决问题的唯一方法就是自己造芯片。

通过自主研发的技术，摆脱国外依赖和限制，好消息是，国产芯片再次“破冰”，三大核心技术被攻克，分别涉及材料、技术、设备。

首先是材料，由南大光电研发的ArF光刻胶已经通过国家级验收，而且具备ArF光刻胶产品销售能力。最重要的是，在7nm工艺制程也能进行运用。

其次是中芯国际的7nm试产。中芯国际没有停止对高端工艺制程的研发，虽然没有EUV光刻机，但是不会影响中芯国际 探索 7nm制造技术。如果试产顺利，对国产芯片制造产业都是一项重大进步。

最后是上海微电子的新一代光刻机预计在年底落地，这台光刻机属于第四代ArF光源，采用193nm波长。如果顺利落地，生产成熟工艺制程芯片，甚至是先进芯片都是有可能的。

国产半导体行业内，三大核心技术被攻克，距离实际运用恐怕很快就要来临，相信在未来几年内，这些核心技术的攻克可以给国产芯片带来更大的突破。

这几项技术都接触到高端产品线的门槛，如果更进一步，可能就是落地生产线了。其实中国是具备完善产业链体系的，想要打造高端芯片生产线并非不可能，就目前来看，已经初具雏形。

人才问题迟早会解决，还有梁孟松，蒋尚义等优秀的半导体人才支持，会持续聚焦国产高端芯片的发展。

技术制程这一块也有中芯国际在加紧突破，如果上海微电子的新一代光刻机可以凭借多重曝光技术，把7nm芯片生产出来，并成功量产，无疑是国产芯片的一大里程碑。

芯片的设计工作就不需要担心了，除了华为海思半导体，我们还有紫光展锐这一芯片设计巨头。在6nm制程芯片上，紫光展锐是可以提供设计保障的，有了6nm，5nm芯片也迟早会被设计成功。

国内有大量的芯片需求，可是每年都需要从国外进口大量芯片。一旦国外停止出口，国产企业就会陷入被动。一些国产企业已经验证了这一事实。

靠对方的手下留情是不现实的，只有靠自己。靠国产芯片的不断突破，因此必须迈上国产芯片“破冰”之路。

光刻胶材料、芯片制造技术、光刻机设备的核心技术突破只是一部分，还有细分到每一个技术节点。仅仅一台高端光刻机就需要10万个零部件，国产企业任重而道远。

困难并不是放弃的理由，而是前进的动力。相信国产芯片还会不断“破冰”，在各大领域取得进展。

白宫也没料到这么快，国产芯片已经在三大核心技术实现攻克。从芯片规则实施以来，国产芯片不论是在产能上，还是在人才培养力度，都有了质的飞跃。这样的速度是对方没有料到的。

关键在于，国产芯片并没有停下脚步，还在 探索 更先进的工艺，培养更多的集成电路人才，为国产芯片的发展提供助力。有这些布局，何愁国产芯片不能崛起。

对三大核心技术被攻克你有什么看法呢？

卓兴半导体主要是做Mini LED封装制程整体解决方案，在固晶、检测、贴合、返修等工序上都有相应研究，目前就我知道的核心技术主要有3个：1、晶圆姿态校正，包括晶圆环校正和晶圆动态校正；2、双臂固晶，包含双臂交替固晶和双臂同步固晶；3、多晶圆环，一次定位，实现RGB混打。

---