为什么P型半导体的电阻率比N型大

相同杂质浓度下，P型半导体电阻率是小于N型半导体电阻率的，因为P型半导体主要依靠空穴导电，N型半导体主要依靠电子导电。而在半导体内，空穴的迁移率远远小于电子的迁移率，常温下，硅中空穴迁移率为450cm/V/S，电子迁移率为1450cm/V/S，所以P型半导体表现出的电阻率比N半导体大得多。举例来说，硅体内掺相同剂量的磷和硼，比如1E15cm-3，则掺磷的N型半导体的电阻率为3~5欧姆厘米，而掺硼的P型半导体电阻率则为10~15欧姆厘米。

更高。补偿半导体，是在半导体中既掺有施主、又掺有受主的一种掺杂半导体。由于补偿半导体中掺有两种杂质，则就要产生杂质的补偿作用，从而其中能够参加导电的多数载流子，就只有由那些未被补偿的杂质来提供；因此补偿半导体中有效的载流子浓度很小，故电阻很高。强补偿半导体，还往往因为掺杂浓度不均匀而造成电子电势的起伏，使得导带底和价带顶出现起伏（禁带宽度不变），从而可形成所谓电子和空穴的“液滴”。

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