p型半导体带正电还是负电？

p型半导体带正负电，即成电中性。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

在P型半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。

空穴型半导体又称P型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

以上内容参考 百度百科-P型半导体

你的理解遗漏了很重要的东西,仔细想想P型半导体中多子空穴的产生过程,受主杂质原子 碰原子接受一个电子,然后它周围产生了空穴,常温下,这些空穴都是电离的（即这些空穴脱离了碰原子的束缚,成为能够在整个半导体内移动的空穴）

好了, 您光想到了这些带正电的空穴, 那您就忘了与这些空穴对应的受主杂质原子吗? 它们都接受了一个电子,就成为了固定在晶格中不可移动的带负电的负离子.（这一点很关键）

1. 半导体内的正电荷是空穴,有两部分来源：受主杂质产生的（占绝大多数）和本征激发产生的（占少数）；

2. 负电荷 则是受主负杂质离子（数量很大,等于上面所述的第一部分空穴的数量）和电子（来源于本征激发,只占少数）

正电荷总数（多子空穴）=负电荷总数（少子电子+受主负离子）

半导体整体是电中性的

同样的道理,N型半导体也是如此,里面有大量的不可移动的带正电的施主正离子,负电荷总数（多子电子）=正电荷总数（少子空穴+施主正离子）

整体是电中性的