【经典】肖特基二极管工作原理与选型讲解

肖特基二极管是利用金属半导体接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。作为低压，高频整流器或者整流桥，极性保护二极管，适用于紧凑型，小型的系统。典型应用于AC-DC和DC-DC转换器，电池极性保护，多种电压“ORing”和其他小尺寸系统的应用。

SBR经常用作低压，高频整流器或者整流桥，极性保护二极管。

1.极低正向压降

2.因极低正向电压实现高效率

3.高连续电流功能

4.可节省空间的小型和超小型表面贴装封装

5.高峰值电流功能

6.卓越的尺寸/性能比，以及更长的电池使用时间

7.低功耗和低发热

8.结合低反向电流的高速开关

1.中小功率整流

2.低功耗应用

3.电源管理电路，尤其是DC转DC转换

4.用于继电器和电机的电感负载的续流二极管

5.反向极性保护

V RRM、V RMS、V DC、I F(AV)、I R、R θJL、R θJA、T J ,T STR、I FSM、VF。

按电流分为：1A,2A,3A,5A等；

按封装类型有：SMA、SMB、SMC、SOT23等。

SMA(1A)： SS12、SS13、SS14、SS15、SS16、SS18、SS19、SS110、SS115、SS120。

SMA/SMB (2A)： SS22、SS23、SS24、SS25、SS26、SS28、SS29、SS210、SS215、SS220。

SMA/SMB(3A)：  SS32、SS33、SS34、SS35、SS36、SS38、SS39、SS310、SS315、SS320。

SMC(3A)： SK32、SK33、SK34、SK35、SK36、SK38、SK39、SK310、SK315、SK320。

SMC(5A)：SK52、SK53、SK54、SK55、SK56、SK58、SK59、SK510、SK515、SK520。

SOT23：  BTA54、BAT54A、BAT54C、BAT54S。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 SBD的主要特点包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。 但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。

肖特基

二极

管

基本

原理

是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡

反向电压

。肖特基与

PN结

的

整流

作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作

开关

二极和

低压

大电流

整流二极管

。

肖特基二极管(Schottky

Barrier

Diode)

它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始

电压

较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其

半导体材料

采用硅或

砷化镓

，多为型半导体。这种

器件

是由

多数载流子

导电的，所以，其

反向饱和电流

较以

少数载流子

导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其

频率

响仅为RC

时间常数

限制，因而，它是高频和

快速开关

的理想器件。其

工作频率

可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作

太阳能电池

或发光二极管。

肖特基二极管(Schottky

Diodes)：

肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的

势垒

对电流进行控制。它的主要

特点

是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的

反应速度

。肖特基二极管常用在

门电路

中作为

三极管

集电极

的

箝位

二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。

肖特基势垒二极管SBD（Schottky

Barrier

Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速

半导体器件

。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通

压降

仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是

快恢复二极管

所无法比拟的。中、小

功率

肖特基整流二极管大多采用

封装形式

。

1．结构原理

综上所述，肖特基

整流管

的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半

导管

整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅

平面工艺

制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了

参数

的

一致性

。

肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒

外侧

无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的

反向

耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率

。

http://www.itdoor.net/pages/24,30892,4,1114422889.html

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