上海新升半导体科技有限公司招聘信息,上海新升半导体科技有限公司怎么样？

钉钉企典数据来源于企业征信机构，包含企业风险数据，公司官网，公司简介，更多公司招聘信息详询公司官网，更多公司电话地址企业邮箱可在钉钉企典进行查询

• 公司简介：

上海新升半导体科技有限公司成立于2014-06-04,注册资本78000.00万人民币元,法定代表人是李炜,公司地址是浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室,统一社会信用代码与税号是91310115301484416G,行业是其他未列明零售业,登记机关是浦东新区市场监管局,经营业务范围是高品质半导体硅片研发、生产和销售，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】,上海新升半导体科技有限公司工商注册号是310115002336808

• 对外投资：

上海新傲科技股份有限公司,法定代表人是李炜,出资日期是2001-07-25,企业状态是在营（开业）,注册资本是31500.00万,出资比例是4.76%

• 股东：

上海硅产业集团股份有限公司,出资比例98.50%,认缴出资额是76830.000000万

上海新阳半导体材料股份有限公司,出资比例1.50%,认缴出资额是1170.000000万

• 高管人员：

瞿红珍在公司任职监事

徐彦芬在公司任职监事

全秀莲在公司任职监事

邱慈云在公司任职董事兼总经理

李炜在公司任职董事长

梁云龙在公司任职董事

如果你是大专的话，即使进了日月光，你的职位是设备技术员，日月光招聘职位还是有的，就是不知道你能不能踩到时间点上，如果刚好有人辞职或是扩充产能招人，那么你的机会就来了。

日月光的技术员一般学了技术提升了能力都会找下一家，ASE毕竟是台资式的管理，这个你懂的。

另外，大专做技术员以后的路线，必须努力做到设备工程师，再转工艺工程师。

你关注的十月什么时候招聘，除了缺人的SITE和HR知道，他人很少能有内情，所以你可以关注51JOB。

这个单位是复旦大学与华大半导体联合创办的单位，或者可以叫课题组，是专门的研发单位。这个单位是招聘的，但是目前来说只招聘博士以上学历，而且要求很高，不过待遇也很好。

以下是参考资料。是今年一月发布的。

为加快实施创新驱动发展战略，由复旦大学与华大半导体联合申报的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心于2020年2月被上海市科委批准建立。中心通过与半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作，致力于研发基于宽禁带与超宽禁带半导体，特别是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料为核心的新型功率器件、工艺和模块，加速下一代宽禁带半导体功率电子的广泛应用。工程中心将致力创建具备国际领先水平的宽禁带材料缺陷研究、器件制造工艺开发、元器件设计、模块封装以及可靠性测试、先进电力电子技术创新开放平台及高层次工程技术型人才培养中心和产业化辐射中心。中心成立以来，已承担多项宽禁带功率器件和模块重大项目，包括和龙头企业研发碳化硅器件的特色新工艺、与国家重点实验室开发超高压碳化硅器件和封装、参与多项省市科技重大专项等。中心正在积极建设宽禁带半导体工艺研发创新平台（复旦大学宁波研究院宽禁带材料与器件研究所），和国际知名企业共建创新中心和研究院。中心现有教授/研究员10人，其中特聘教授5人，副教授/青年研究员15人，超级博士后2人。中心招收宽禁带半导体物理与器件、半导体材料与集成电路、微纳器件系统集成、器件及可靠性测试、电力电子技术等方向的物理电子学硕士、博士研究生。

中心负责人张清纯教授，现任复旦大学特聘教授，博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所所长，复旦大学工程与应用技术研究院宽禁带半导体与超越照明研究所副所长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化，长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家。迄今已撰写100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有100多项美国及国际专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。

因研究工作需要，针对以下方向招聘博士后数名：

1)宽禁带半导体材料生长与缺陷表征技术

2)宽带半导体功率器件设计、先进制造工艺及器件可靠性评价

3)超宽禁带半导体材料、器件及工艺研究

4)高频高功率先进封装技术与可靠性测试

职位要求。

1)已获得或即将获得微电子、电力电子器件与应用、半导体物理与材料、半导体制造装备、材料科学与工程等相关专业的博士学位，具有扎实的理论基础和较强动手实践能力，至少具备相关领域一项相关研发经验

2)能独立开展研究工作，并具有优秀的团队合作精神，尤其是从事交叉性学科研究的能力，且具有优秀的动手能力和主动性；

3)具有良好的英语读写能力，可以独立撰写研究论文，具有功率半导体领域出色研发经历将获得优先考虑

---