华为打了套组合拳：左手鸿蒙，右手光刻机

近日华为先是发布了HarmonyOS 2 *** 作系统，随后又宣布将HarmonyOS的基础能力全部捐献给开放原子开源基金会，一时赚足了眼球。鸿蒙的面世，意味着华为应对安卓禁令“B计划”已经生效，在 *** 作系统方面，华为从此不再受制于人。

华为被“卡脖子”，在“软”的方面是 *** 作系统，鸿蒙已经解决了这个问题；在“硬”的方面是芯片制造，进军光刻机将解决这个问题。重压之下的华为，用两年时间硬是无中生有的趟出了一条路。

将国产光刻机推向28nm

公开信息显示，科益虹源在2016年由中科院微电子所和北京亦庄国投联合发起成立，其它股东包括中科院旗下的国科控股等。这样的背景，显示出科益虹源不是一家普通的公司。在哈勃这轮融资之前，科益虹源没有进行过增资。一位投资人向投中网表示，科益虹源这家公司比较低调，据他所知不太接触财务投资人。

科益虹源这家公司的名字极少出现在公众视野，但从官方披露的直言片语的信息还是不难看出，这是一家在中国半导体产业链上极其重要的公司。

经过这几年的科普，现在大家都知道了，芯片制造过程中最关键的设备是光刻机。芯片制造是将芯片设计在晶圆上实现的过程，其中“光刻”的环节，即利用光刻机发出的激光实现对电子线图的“复印”，可以占到整个芯片制造耗时的40~50%。光刻机的先进程度直接决定了芯片的工艺水平。高端光刻机不能国产化，是中国半导体产业长期的痛。目前最先进的国产光刻机来自上海微电子，只能做到90nm制程，距离28nm以下的先进制程还很远。

光刻机的国产化是复杂的系统工程，其中光源是核心组件之一，其波长范围决定了光刻机的工艺能力，这正是此次拿到哈勃投资的科益虹源所攻坚的“城墙口”。

根据官方报道，科益虹源是国家02重大专项“准分子激光技术”成果的产业化载体，开展浸没光刻光源的关键技术攻关以及产品开发，进入国际上最高端的DUV光刻光源产品系列。

科益虹源攻克的ArF浸没式激光器技术，可以把国产光刻机一举推向28nm以下的先进制程。这是中国半导体产业发展的 历史 性节点。采用ArF光源的浸没式DUV光刻机是目前全球使用最广泛的光刻机，可以完成45nm-10nm制程的芯片制造，足以应付绝大部分使用场景，中国芯片制造受制于人的局面将得到根本性的改观。

根据官方通稿，2018年科益虹源实现了自主设计开发的国内首台高能准分子激光器出货，打破了国外厂商的长期垄断，是国内第一家、全球第三家实现193nm ArF准分子激光器量产的企业。2020年4月，科益虹源集成电路光刻光源制造及服务基地项目开工建设，投资达5亿元。

2020年11月，上海浦东金融局发布新闻稿显示，上海微电子预计将于2022年交付首台28nm工艺国产沉浸式光刻机，国产光刻机将从此前的90nm制程一举突破到28nm制程。这一消息振奋了整个中国半导体产业界。虽然官方并未确认，但业内一般认为其光源系统来自科益虹源。

哈勃在这个时间点上投资科益虹源，其意义是不言而喻的。

华为已掏出30亿元，用投资再造产业链

华为在2019年设立子公司哈勃 科技 ，专门用于半导体产业链的投资。两年来哈勃的投资规模急剧膨胀，华为已经向哈勃追加了三轮投入。2019年哈勃只有7亿元注册资本，而在2021年5月31日的增资之后，已经增加至30亿元的规模。

在2020年7月，因为一则“光刻机工艺工程师”的招聘公告，曾让坊间热议华为要做光刻机了。虽然事后证明这只是一场乌龙，但华为要重造产业链的决心是显而易见的，这也是“华为要做XXX”一类传言层出不穷的根本原因。可以预见，华为对科益虹源的投资不会仅仅只是投资而已。

目前，哈勃 科技 已投资了多达38家公司，投资范围涵盖半导体设备、第三代半导体材料、芯片设计等半导体产业链的各个环节。从这些项目，能窥见华为在半导体领域的投资风格，用一句话概括就是“投资一个亿，订单十个亿”。在投资的同时，华为的技术支持、海量订单往往也随后就到。通过哈勃的投资，华为相当于已经再造了一条围绕自身的产业链。

哈勃第一个完成IPO的项目是模拟芯片厂商思瑞浦，2020年9月正式上市，目前市值超过400亿元，在2019年7月，哈勃投资以7200万元认购了思瑞浦增发的224万股股份，投后估值仅9亿元。思瑞浦之所以能够在不到两年时间增值40多倍，华为的扶持功不可没。在投资的第一年，华为就给了1.7亿元的订单，让思瑞浦的当年的营收同比暴增167%。

全球首家量产5G介质波导滤波器的生产商灿勤 科技 也是如此。2018年下半年，灿勤 科技 在国内率先实现5G介质波导滤波器的规模量产，这是5G基站的关键部件，属于过去“卡脖子”的产品，因此引起了华为的注意。哈勃投资接洽要入股，华为的订单也接踵而至。仅仅凭借5G介质波导滤波器这一款产品，灿勤 科技 就此实现了公司的脱胎换骨。在2020年，来自华为的收入占其总营收的90%以上。

对华为而言，这些投资在实现战略协同的同时，财务回报也非常可观。前面提到的40多倍回报的思瑞浦只是一例，在科创板上，一只“华为军团”正在慢慢浮现。6月4日，灿勤 科技 科创板IPO提交注册。5月31日，碳化硅衬底厂商山东天岳科创板IPO申请获受理。4月15日，储存芯片厂商东芯半导体科创板IPO获得通过。它们都是哈勃 科技 在过去两年间投资的项目。哈勃真乃“硬 科技 第一VC”。

国内半导体想追上台积电，说实话很难，特别是在五到十年年之内，几乎不太可能，但是，十到十五年以后，很有可能追上。

先说原因，主要还是技术壁垒，要知道，大陆半导体基本上落后于台积电三代，现在代表大陆半导体制程的“天花板”中芯国际目前在14纳米，而台积电已经开始5纳米量产，并且已经在开发3纳米制程。最关键的是，台积电没有国外的技术限制，可以随时买到ASML最先进的EUV光刻机，而大陆半导体用的还是落后DUV光刻机，而且，制造国内光刻机的上海微电子目前能批量制造28纳米制程的技术还没有完全成熟。

因此可以说，半导体制造属于投入大，工序长，而且几乎是一环套一环，每个环节几乎都是世界最尖端的技术，把这些技术有集成起来，也需要高端的技术与时间。而在五到十年之内，我们的GDP极有可能会超过美国，但是技术的发展需要一定时间积累与大量人才的培养，这些都是不能急于求成的。因此可以说，在五到十年之内很难能追上台积电。

但是，不要悲观，为什么说十年以上就极有可能追上呢？主要还是因为以下原因：首先，就是综合国力，我国的GDP极有可能十年之内追上美国，也代表着我国的综合国力强盛，必将带动高科技及其相关产业的极大发展。其次，政策支持，高科技产业代表着一个国家最重要的实力，也必将促进国家的大量投入与政策支持，这些都是高科技发展的重要支持。

再次，市场需求，半导体及芯片进口早已超过石油成为我国第一大进口产品，也代表着国内市场需求巨大，肯定会带动大量资金会投入这个板块，也必将带动整个产业的极快发展。最后，我国制造业蓬勃发展，我国的制造业在去年已经超过西方七国的总和，这也代表着我国制造业发展的巅峰，也代表着我国需要向以半导体制造为高端制造业为主的转型升级，也正因为我国如此庞大制造业的支持，相信半导体制造业的难关也必将会被攻克。

综上所述，个人认为，大陆半导体追上台积电可能需要十年以上的时间。

1.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅，在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。

2.第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

3.第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

扩展资料

Si和化合物半导体是两种互补的材料，化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点，而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势，且两者在应用领域都有一定的局限性，因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容，取各自的优点，从而生产出符合更高要求的产品，如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。

但是第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，消费电子、照明、新能源汽车、导d、卫星等，且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。

参考资料百度百科——半导体材料

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