中国半导体发展现状和前景

首先,在目前这个环境下,半导体发展的前景是可以得到认可的,它是电子信息产业中不可忽视的一环,而电子信息产业正是目前的中心产业,该产业的社会整体价值。全球经济回暖将刺激半导体行业的高速发展。面对着社会局势的快速改变,社会经济的极大进步和互联网设备,云计算,电子商务等行业的高速发展,最需要的就是智。

半导体行业属于一个高技术行业,受到的国家补贴十分多,同时受到的关注度也不小,大多数的高技术行业都具有高壁垒性,但半导体则不然,它的壁垒并不高。

半导体分立器件制造行业主要上市公司：目前国内半导体分立器件制造行业的上市公司主要有华润微(688396)、士兰微(600460)、扬杰科技(300373)、华微电子(600360)、新洁能(605111)、苏州固锝(002079)、银河微电(688689)、立昂微(605358)、捷捷微电(300623)、台基股份(300046)等。

本文核心数据：功率半导体分立器件产量、产值、市场结构

1、功率分立器件产量和产值持续上涨

功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。2015-2020年，中国功率半导体分立器件产量和产值均呈现持续上涨的趋势。2020年，中国功率半导体分立器件产量为4885亿只，较2019年同比增长8%。2020年，中国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年同比增长3%。

2、MOSFET产品优势凸显、需求量大

功率半导体分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三大类，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控型分立器件，MOSFET根据应用特性的不同，还包括平面型功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET等多种类型。

MOSFET在分立功率半导体器件当中排名首位，2019年占市场规模的36.3%，其次为二极管、其他三极管(包括IGBT)及晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%及5.5%。

MOSFET的优势在于开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率小且驱动电路简单、工作频率高以及不存在二次击穿问题等方面而功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势。基于产品自身的特点和优势，MOSFET和二极管在功率分立器件市场中占据近70%的市场规模。在MOSFET下游应用的快速发展基础下，按MOSFET销售额划分的市场规模已由2015年的37亿美元增至2019年的53亿美元，复合年增长率约9.2%。

注：市场结构数据根据2019年市场规模数据计算所得。

3、功率分立器件市场规模将继续增长

展望未来，依据全球需求的普遍上升，加上中国制造分立器件如MOSFET、二极管及三极管的庞大产能，中国功率半导体分立器件市场规模预期将会持续增长。预计到2026年，中国功率半导体分立器件产量将超过16000亿只，产值将超过500亿元。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国半导体分立器件制造行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》

首先是芯片技术的发展趋势。存储芯片是半导体存储器的重要组成部分，其技术的发展决定了新一代存储器的容量和性能。主流的存储芯片有DRAM存储芯片和NAND闪存芯片，其中DRAM的技术发展路径是通过工艺小型化来提高存储密度。工艺进入20nm后，制造难度大大提高。

其次是半导体制造设备细分。在国内一些晶圆厂的采购中，去胶设备国产化率接近90%，是半导体制造设备中国产化率最高的。中国半导体行业正在经历下游需求爆发带来的行业复苏和国内替代机会。非晶半导体不是物理加工，而是用化学手段直接改变原子的位置，使原来的周期性发生变化，形成非晶硅。制造过程简单，易于 *** 作，成本低，但这种物品对环境有污染，且难以分解。

再者是新型存储介质的发展趋势。新的存储介质结合了DRAM存储器的高速存取和NAND闪存断电后保留数据的特性，可以打破存储器和闪存的界限，将两者合二为一。同时，新型存储介质功耗更低、寿命更长、速度更快，因此被业界视为未来闪存和内存的替代品。然而，新的存储介质行业尚未成熟。

要知道的是中国作为半导体消费大国，内需市场依然巨大。虽然中国半导体产业发展起步较晚，与国际大公司相比仍有差距，但不可否认，中国是全球最大的集成电路产品消费市场，也是全球集成电路产业发展的重要支撑。近年来，国内半导体技术企业逐步攻克了一系列关键技术难题。大部分关键设备类型可实现国产化配套，主要零部件配套体系初步形成。一些设备已经进入国际采购系统。