碳化硅晶片的介绍

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性、抗辐射的性能，具有与氮化镓(GaN)相近的晶格常数和热膨胀系数，不仅是制作高亮度发光二极管(HB-LED)的理想衬底材料，也是制作高温、高频、高功率以及抗辐射电子器件的理想材料。

碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。

.性质

碳化硅的硬度很大，具有优良的导热和导电性能，高温时能抗氧化。

用途

(1)作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。

(2)作为冶金脱氧剂和耐高温材料。

碳化硅主要有四大应用领域,即: 功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应, 不能算高新技术产品,而技术含量极高 的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。

(3)高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。

产地、输往国别及品质规格

(1)产地：青海、宁夏、河南、四川、贵州等地。

(2)输往国别：美国、日本、韩国、及某些欧洲国家。

(3)品质规格：

①磨料级碳化硅技术条件按GB/T2480—96。各牌号的化学成分由表6-6-47和表6-6-48给出。

②磨料粒度及其组成按GB/T2477—83。磨料粒度组成测定方法按GB/T2481—83。

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