半导体光刻技术，什么是半导体光刻技术

光刻技术主要应用在微电子中。它一般是对半导体进行加工，需要一个有部分透光部分不透光的掩模板，通过曝光、显影、刻蚀等技术获得和掩模板一样的图形。先在处理过后的半导体上涂上光刻胶，然后盖上掩模板进行曝光；其中透光部分光刻胶的化学成分在曝光过程中发生了变化；之后进行显影，将发生化学变化的光刻胶腐蚀掉，裸露出半导体；之后对裸露出的半导体进行刻蚀，最后把光刻胶去掉就得到了想要的图形。光刻技术在微电子中占有很大的比重，比如微电子技术的进步是通过线宽来评价的，而线宽的获得跟光刻技术有很大的关系。光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得到细微的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。

PL:激发光源是激光，可以反应测试物质的内部结构，比如带隙，缺陷等 优点：对样品没损伤，可以多次测量 但是如果激光太强，还是会损坏表面结构的EL：电致发光，是靠注入电流的，测试样品的时候要加电极的，所以样品只能测试一次CL：电子激发。利用电子束激发半导体样品，将价带电子激发到导带，之后为达到能量稳定，被激发的电子又跃迁回价带，同时放出特征荧光谱，调节入射电子的能量，可以使电子进入到样品的不同深度，从而观测到样品表面以下的晶体缺陷信息。表面很容易被电子破坏。

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