齐纳二极管,我们经常称为稳压二极管, 这是一种在反向特性击穿前具有高组
态的半导体器件,但是在击穿后会呈现低阻态 ,到达低阻态时候随着电流的增加电
压却维持在一个恒定值。我们称此时的这个电压齐纳电压或雪崩电压 。在掺杂浓度
比较高的PN结中,很容易发生齐纳击穿而不是雪崩击穿。这是因为齐纳击穿需要强
电场,PN结的杂质浓度高,那么它的电荷密度也就相对大,电场强度就大,因此齐
纳击穿多数发生在稳压二极管当中,而普通的二极管击穿一般都是雪崩击穿。
2、齐纳二极管伏安特性
如下图是齐纳二极管的伏安特性,它的正向伏安特性与普通的二极管无异,但
是反向特性似乎具有可逆性,在一定范围内电压保持在一个恒定值,稳压二极管这
个是利用这个特性制作而成。
3、齐纳二极管在LED方面作用
那么,齐纳二极管在普通的LED灯上面有什么作用呢?LED是一种半导体发光器
件, 它的发光原理是利用半导体芯片作为发光材料,利用电能转换为光能等,对于一
般小功率的普通发光LED,它的驱动电流一般都是20mA左右,这也许是与单片机I/O
口驱动电路一致吧,但是也有很多事大电流的,电流大的话封装也就不一样。
LED是一种对静电非常敏感的半导体器件,特别是对于InGaN 结构的蓝色、翠绿
色、白色等发光LED,这种结构这种颜色的LED对静电更加敏感,我们知道静电电压
很高,甚至达到上万伏,LED发光管碰上静电很容易会破坏LED本身结构,导致发光
性能异常,甚至直接损坏。
但是加上齐纳二极管之后抗静电能力大大加强,甚至达到上万伏,当然,加了
齐纳的LED在价格上比普通的要稍高一点。
因此,为了保护LED产品,对于防静电这一块一般要求:
①接触LED时应佩戴防静电腕带或者防静电手套;②所有的仪器设备,包括料架
等,应有必要的接地保护;③储存LED应使用防静电塑料袋、防静电周转箱。
MMSZ7V5T1G 的参数
类别:分立半导体产品:
二极管 - 齐纳 - 单:
制造商:ON Semiconductor:
系列:-:
包装 ?:剪切带(CT)
零件状态:在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V
容差:±5V
功率 - 最大值:500mW
阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1?A @ 5V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA工作温度:-55°C ~ 150°C安
装类型:表面贴装
封装/外壳:SOD-123
供应商器件封装:SOD-123
基本零件编号:MMSZ7V5
因为直接能隙半导体材料的辐射复合几率很大,而间接带隙半导体则否。因为直接能隙半导体材料中的电子、空穴复合时,没有动量的改变,则不需要第三者参与,故能量都可以发光的形式释放出来——发光强度大。
但是间接能隙半导体材料中的电子、空穴的复合,有动量的改变,则必须要有第三者(主要是声子)参与,故能量几乎不能以发光的形式释放出来——发光强度非常低。
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