sic 的掺杂物？p 型，n 型

本发明公开了利用基本上无深能级掺杂物的半绝缘SiC衬底的SiC MESFET。半绝缘衬底的利用可以减少MESFETs中的背栅效应。还提供了具有两个凹槽的栅极结构的SiC MESFETs。还提供了具有选择掺杂的p型缓冲层的MESFETs。这种缓冲层的利用可以在具有常规的p型缓冲层的SiC MESFETs之上降低到其三分之一的输出电导并产生3db的功率增益。还可以提供到p型缓冲层的地接触，p型缓冲层可以由两种p型层形成，其具有在衬底上形成的较高掺杂物浓度的层。根据本发明的实施例SiC MESFETs还可以利用铬作为肖特基栅极材料。此外，可以采用氧化物-氮化物-氧化物(ONO)钝化层以减少SiCMESFETs中的表面效应。同样，可以直接在n型沟道层上形成源和漏欧姆接触，因此，不需要制造n+区域，有关这种制造的步骤可以从制造工艺中去除。还公开了制造这种SiC MESFETs和用于SiC FETs的栅极结构以及钝化层的方法。

专利主权项

权利要求书 1.一种金属-半导体场效应晶体管，包括：半绝缘碳化硅衬底，其基本上无深能级掺杂物；在衬底上的n型导电性碳化硅的n型外延层；在n型外延层上的欧姆接触，其分别确定源区和漏区；以及在n型外延层上的肖特基金属接触，其位于欧姆接触之间并由此在源区和漏区之间，以便当偏压施加到肖特基金属接触时在n型外延层中的源区和漏区之间形成有源沟道。

在讲解固态硬盘（SSD）前，我们先讲几个术语（名词）。就像我们如果讲解机械硬盘，我们要明白磁盘和磁头，读写部分的机械结构等。

反正吧，磨刀不误砍柴工。

为了更好地展开说明，列举一些容易混淆的概念并加以说明。

闪存介绍

上面提到闪存在固态硬盘的广泛应用，所以在讲解固态硬盘的各种算法前需要重点介绍一下闪存的特性。

闪存使用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，主要利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断在栅极 与硅衬底之间增加了一个浮置栅极，浮置栅极可以存储电荷，利用电荷存储来存 储记忆。

擦除：释放浮置栅极的电荷，从而使之变成‘1’，这个动作被称为“擦除”。

编程：向浮置栅极注入电荷，从而使之变成‘0’，这个动作被称为“编程”。

2. 内部组织结构

闪存颗粒内部一般由成千上万个大小相同的块(Block) 所组成，块大小一般为数百 KB 倒数 MB。每一个块的内部又分为若干个大小相同的页(Page)，页的大小一般为 4KB 或者 8KB。

3. 数据写入

4. 数据读出

在通电 40 C 和断电 30 C 温度下，SSD 将将数据保留 52 周，即一年。如表所示，数据保留与活动温度成正比，与断电温度成反比，这意味着较高的断电温度将导致保留率下降。该活动温度仅为 25-30 C 且断电为 55 C 的最坏情况下，数据保留时间可能短至一周，这是许多网站所炒作“数据在几天内丢失”的言论。是的，它在技术上可能发生，但不是在典型的用户环境中。

在现实中，55 C 的断电温度对于客户端用户来说根本不现实，因为SSD很可能在室温下存储在室内某处（壁橱、地下室、车库等），温度往往低于 30 C。另一方面，活动的温度通常至少为 40 C，因为电脑中的硬盘和其他元件会产生热量，使之超过室温

Control Gate: 控制栅

ONO: 氧化层

Floating Gate: 浮动栅

Tunnel Oxide: 隧道氧化层

Silicon: 硅

与一般原理一样，数据保留的时长是有技术解释的。半导体的导电率随温度而变化，这对NAND来说是个坏消息，因为当它不通电时，电子不应该移动，因为这会改变单元(cell)的电荷。换句话说，随着温度的升高，电子更快地从浮动栅中逸出，最终改变单元的电压状态，使数据不可读（即SSD不再保留数据）。

对于正常通电使用时，温度具有相反的效果。由于较高的温度使硅导电性更高，因此在编程/擦除 *** 作过程中电流较高，对隧道氧化层的压力较小，从而提高了单元(cell)的耐久性，因为隧道氧化层保持电子在浮动栅内的能力实际上决定了SSD的耐久性[寿命]。

总之，在典型的客户环境中， 绝对没有理由担心 SSD 数据保留时长 。请记住， 此处提供的数字适用于已通过其耐久性考核的SSD（写入量达到标称值） [潜台词就是隧道氧化层将电子控制在浮动栅的能力已经变得较差了]。因此对于新SSD，数据保留时长要久得多，通常对于基于 全新的MLC NAND的SSD来说， 数据保留时长通常会超过十年 。如果你今天买了一个SSD，并存储数据，SSD本身将变得完全过时比它将失去它的数据更快。此外，考虑到 SSD 的成本，将它们用于冷存储无论如何都不经济高效，因此，如果您希望存档的数据，我建议仅出于成本原因使用机械硬盘。

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