关于半导体的制冷原理

半导体的制冷和制热，都是应用温差电效应的结果。当有电流通过半导体制冷片时，就会在一端发热、另一端降温——产生温差，即一端制热、另一端制冷。冰箱和空调都是利用这种效应。

因为在通过半导体制冷片的电流等条件一定时，在一端发热、另一端降温所造成的温度差是一定的，所以当降低热端温度时，相应地冷端的温度也将要降低，从而能够达到更好的在冷端制冷。

相反，若在半导体制冷片的两端人为地造成温度差，就会在两端之间产生电压和电流——温差生电。两端的温差越大，产生的电压和电流也就越大。

总之，这里关键的问题是温度差，而不是一端温度本身的高低。

芯片半导体行业突然降温，芯片龙头逆势囤货也许就是看好芯片半导体行业的发展。

一、芯片半导体行业突然降温

按照目前不少调查报告显示，其实芯片半导体行业已经遭到了降温，而且不少的芯片企业开始了业绩下行这种情形。但是令人意外的却是芯片龙头韦尔股份竟然进行逆势囤货，这也就引发了更多人的关注，毕竟市场都已经在下行阶段，但是这一家公司竟然在作出相反的判断，这也许有着背后的原因。由于这种不同寻常的行为实在是太过耀眼，这也就引发了许多人的关注。

二、芯片龙头逆势囤货的原因：相信未来无限好

其实重新变龙头逆势囤货，这种现象来看我们不难发现其对于芯片行业的发展是很看好的，曾经有一句老话叫做好天的时候赚钱，坏天的时候直接把赚的钱拿出来用，这很明显就是目前该公司进行囤货的原因。我们不难发现，目前的新能源汽车制造以及手机制造都是需要大量的新品的，假如某些芯片企业能够在未来的供应当中一枝独秀，这也许能够造就更为强大的剧透，这也许就是目前该公司进行逆向判断的另一个原因。

三、芯片很冷，但是招聘很热

其实芯片半导体行业目前正在面临着一种冰火两重天的情形，一方面是企业正在拼命地缩小芯片生产量，另一方面则是企业在不同的高端招聘市场进行人才招聘，这种相反的情形让人着实是丈二和尚摸不着头脑。但是我们可以发现的是，目前芯片龙头正在逆势囤货，他们肯定是已经知道了某些趋势解读，这也就意味着芯片半导体行业在未来还是大有作为的，我们不要轻易丧失对这些行业的信心。

在原理上，半导体的制冷片只能算是一个热传递的工具，虽然制冷片会主动为芯片散热，但依然要将热端的高于芯片的发热量散发掉。在制冷片工作期间，只要冷热端出现温差，热量便不断地通过晶格的传递，将热量移动到热端并通过散热设备散发出去。因此，制冷片对于芯片来说是主动制冷的装置，而对于整个系统来说，只能算是主动的导热装置，因此，采用半导体制冷装置的ZENO96智冷版，依然要采取主动散热的方式对制冷片的热端进行降温。 风扇以及散热片的作用主要是为制冷片的热端散热，通常热端的温度在没有散热装置的时候会达到100度左右，极易超过制冷片的承受极限，而且半导体制冷效率的关键就是要尽快降低热端温度以增大两端温差，提高制冷效果，因此在热端采用大型的散热片以及主动的散热风扇将有助于散热系统的优良工作。在正常使用情况下，冷热端的温差将保持在40～65度之间。 当一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成电偶对时，在这个电路中接通直流电流后，就能产生能量的转移，电流由N型元件流向P型元件的接头吸收热量，成为冷端由P型元件流向N型元件的接头释放热量，成为热端。吸热和放热的大小是通过电流的大小以及半导体材料N、P的元件对数来决定，以下三点是热电制冷的温差电效应。

1、塞贝克效应

（SEEBECKEFFECT） 一八二二年德国人塞贝克发现当两种不同的导体相连接时，如两个连接点保持不同的温差，则在导体中产生一个温差电动势：ES=S.△T 式中：ES为温差电动势 S为温差电动势率（塞贝克系数） △T为接点之间的温差

2、珀尔帖效应

（PELTIEREFFECT） 一八三四年法国人珀尔帖发现了与塞贝克效应的效应，即当电流流经两个不同导体形成的接点时，接点处会产生放热和吸热现象，放热或吸热大小由电流的大小来决定。 Qл=л.Iл=aTc 式中：Qπ为放热或吸热功率 π为比例系数，称为珀尔帖系数 I为工作电流 a为温差电动势率 Tc为冷接点温度

3、汤姆逊效应

（THOMSONEFFECT） 当电流流经存在温度梯度的导体时，除了由导体电阻产生的焦耳热之外，导体还要放出或吸收热量，在温差为△T的导体两点之间，其放热量或吸热量为： Qτ=τ.I.△T Qτ为放热或吸热功率 τ为汤姆逊系数 I为工作电流 △T为温度梯度 以上的理论直到本世纪五十年代，苏联科学院半导体研究所约飞院士对半导体进行了大量研究，于一九五四年发表了研究成果，表明碲化铋化合物固溶体有良好的制冷效果，这是最早的也是最重要的热电半导体材料，至今还是温差制冷中半导体材料的一种主要成份。 约飞的理论得到实践应用后，有众多的学者进行研究到六十年代半导体制冷材料的优值系数，才达到相当水平，得到大规模的应用，也就是我们现在的半导体制冷片件。 中国在半导体制冷技术开始于50年代末60年代初，当时在国际上也是比较早的研究单位之一，60年代中期，半导体材料的性能达到了国际水平，60年代末至80年代初是我国半导体制冷片技术发展的一个台阶。在此期间，一方面半导体制冷材料的优值系数提高，另一方面拓宽其应用领域。中国科学院半导体研究所投入了大量的人力和物力，获得了半导体制冷片，因而才有了现在的半导体制冷片的生产及其两次产品的开发和应用。

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