半导体的种类有哪些？

一、N型半导体

N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

形成原理

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度。

二、P型半导体

P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

形成

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

扩展资料

特点：

（一）、N型半导体

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

（二）、P型半导体

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

参考资料来源：百度百科-N型半导体

参考资料来源：百度百科-P型半导体

应变片按材料分为金属式体型、丝式、箔式、薄膜型。

应变片是由敏感栅等构成用于测量应变的元件，电阻应变片的工作原理是基于应变效应制作的，即导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值相应的发生变化，这种现象称为“应变效应”。

应变片按材料分：金属式体型、丝式、箔式、薄膜型。

半导体式体型——薄膜型、扩散型、外延型、PN结型 按结构分：单片、双片、特殊形状。按使用环境：高温、低温、高压、磁场、水下。

应变片的主要特点：

1、部分应变片具有自补偿功能，不需要补偿片，自身就能抑制应变温度漂移的功能。

2、产品品种多、可以给客户在不同的测量场合，提供完善应变测量选择，主要有：普通、低温、高温、超高温防水、复合材料、混凝土、焊接式、焊接防水、半导体、测残余应力、等非常完善的产品规格和型号。

3、测量温度范围广：-269℃-800℃。

4、产品稳定性好、长时间测量，产品测量结果稳定。

5、产品的测量形状多样，可以测量多种力学信号，如：测量扭矩、剪切应力、集中应力等等。

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