卓兴是卓兴半导体的简称，其核心技术优势有哪些？

卓兴半导体定位就是为半导体封装制程提供整体解决方案，通过深入研究Mini LED制程所面临的良率，微间距和制程效率等问题，经过无数次的实验，成功实现了一套智慧型的倒装COB产线解决方案，主打的固晶设备有5大技术优势：

①精度高固晶更准，通过晶圆环校正、晶圆校正和压力校正来实现抓晶更稳固晶更准；

②固晶速度快，有双臂单板同步固晶和双臂单板同时固晶两种模式，更推出像素固晶机，三摆臂固晶，效率提升30%，固晶速度可以达到50K/H；

③固晶范围更大，卓兴采用双臂同时分边固晶，同等臂长固晶宽度加倍；

④良率更高，像素固晶机通过RGB三色芯片同时取晶/固晶，取/固晶参数更具针对性，能够提高设备良率，目前卓兴像素固晶机可以做到99.999%；

⑤并联联线，卓兴半导体实现单机多环和多机联合混打功能，采用最科学的调度路径，消除设备差异性。第一代线配备24台AS3603像素固晶机，每小时产能为864k。第二代线配备24台AS3601像素固晶机，每小时产能达到1200K，极大提高了固晶效率和保障了产品品质。

先说说硅：作为现在最广泛应用的半导体材料,它的优点是多方面的. 1）硅的地球储量很大,所以原料成本低廉. 2）硅的提纯工艺历经60年的发展,已经达到目前人类的最高水平. 3）Si/SiO2 的界面可以通过氧化获得,非常完美.通过后退火工艺可以获得极其完美的界面. 4）关于硅的掺杂和扩散工艺,研究得十分广泛,前期经验很多. 不足：硅本身的电子和空穴迁移速度在未来很难满足更高性能半导体器件的需求.氧化硅由于介电常数较低,当器件微小化以后,将面临介电材料击穿的困境,寻找替代介电材料是当务之急.硅属于间接带隙半导体,光发射效率不高. ------------------------------------ 锗：作为最早被研究的半导体材料,带给我们两个诺贝尔奖,第一个transistor和第一个IC.锗的优点是： 1）空穴迁移率最大,是硅的四倍；电子迁移率是硅的两倍. 2）禁带宽度比较小,有利于发展低电压器件. 3）施主/受主的激活温度远低于硅,有利于节省热预算. 4）小的波尔激子半径,有助于提高它的场发射特性. 5）小的禁带宽度,有助于组合介电材料,降低漏电流. 缺点也比较明显：锗属于较为活泼的材料,它和介电材料的界面容易发生氧化还原反应,生成GeO,产生较多缺陷,进而影响材料的性能；锗由于储量较少,所以直接使用锗作衬底是不合适的,因此必须通过GeOI（绝缘体上锗）技术,来发展未来器件.该技术存在一定难度,但是通过借鉴研究硅材料获得的经验,相信会在不久的将来克服.

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