常见的半导体工艺有:晶圆切割、晶圆研磨、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等。
其中,晶圆切割、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等是半导体八大工艺,这八种工艺是半导体制造过程中最重要的工艺,也是最常用的工艺。
每种工艺都有其优势和劣势,没有一种工艺能够满足所有的应用需求,因此,选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的,没有哪一种工艺是最好的。
按工艺分的话显然是A,B中的一个。 但具体是哪个我也不太确定,但是个人倾向于A 基于晶体的工艺叫做双极型,基于mos管的叫单极型(不过一般都就叫MOS工艺),这两种是IC工艺中的基本分类方法,前者主要用于模拟IC,后者主要用于数字IC;而接口电路的工艺我不是很了解,只是写过VHDL描述。 对于一些模拟和数字混合型的电路必然会用到不同工艺的设计电路和方法,但工艺上是否会统一的形成“双极型-MOS电路”我就不太清楚了。芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(WaferFabrication)、晶圆针测工序(WaferProbe)、构装工序(Packaging)。
测试工序(InitialTestandFinalTest)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(FrontEnd)工序,而构装工序、测试工序为后段(BackEnd)工序。
按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。
此外,IC除了在制造技术上的分类以外,还有以应用领域、设计方法等进行分类,最近虽然不常用。
但还有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。
但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
扩展资料:
(1)元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体,其中对硅、锡的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料,容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前,只有硅、锗性能好,运用的比较广,硒在电子照明和光电领域中应用。
硅在半导体工业中运用的多,这主要受到二氧化硅的影响,能够在器件制作上形成掩膜,能够提高半导体器件的稳定性,利于自动化工业生产。
(2)无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料,当然也有多种元素构成的半导体材料,主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族;II族与IV、V、VI、VII族;III族与V、VI族;IV族与IV、VI族。V族与VI族;
VI族与VI族的结合化合物,但受到元素的特性和制作方式的影响,不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中,InP制造的晶体管的速度比其他材料都高,主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。对于导电率高的材料,主要用于LED等方面。
参考资料来源:百度百科-半导体
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