半导体器件加工过程中产生的三废如何处理

1.半导体工业废水的处理方法，其特征在于处理步骤如下：

(1)将半导体器件制造中产生的电镀废水和研磨废水进行混合，形成混 合废水

(2)混合废水泵入浸没式膜过滤装置过滤

(3)将过滤的水泵入纳滤膜过滤装置过滤，经过纳滤膜过 滤装置过滤的水即可直接回用。

从事的工作主要包括：

（1）使用外延炉等设备，进行气体纯化、四氯化硅精馏，在单晶片上生长单晶层；

（2）使用高温炉，在半导体晶体表面制备氧化层，使杂质由晶片表面向内部扩散或进行其他热处理；

（3）使用离子注入设备，将掺杂材料的原子或分子电离加速到一定的能量注入到晶体，并退火激活；

（4）使用气相淀积设备，在衬底表面淀积一层固态薄膜；

（5）使用光刻机在半导体表面掩膜层上刻制图形；

（6）使用机械加工等设备，对晶片加工形成器件台面，并对表面作钝化保护；

（7）使用电镀设备，对晶片、半导体器件、集成电路、电级材料的某些部位进行镀覆。

下列工种归入本职业：

外延工，氧化扩散工，离子注入工，化学气相淀积工，光刻工，台面成型工，半导体器件、集成电路电镀工

。。。。明天答辩会不会问啊。 衬底材料的选择主要取决于以下九个方面：

结构特性好，外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小

界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性强

化学稳定性好，在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀

热学性能好，包括导热性好和热失配度小

导电性好，能制成上下结构

光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小

机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等

价格低廉

大尺寸，一般要求直径不小于2英吋

衬底的选择要同时满足以上九个方面是非常困难的。所以，目前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多，但是能用于生产的衬底目前只有二种，即蓝宝石Al2O3和碳化硅SiC衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比较。

评价衬底材料必须综合考虑下列因素：

衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近、晶格常数失配小、结晶性能好、缺陷密度低；

衬底与外延膜的热膨胀系数匹配：热膨胀系数的匹配非常重要，外延膜与衬底材料在热膨胀系数上相差过大不仅可能使外延膜质量下降，还会在器件工作过程中，由于发热而造成器件的损坏；

衬底与外延膜的化学稳定性匹配：衬底材料要有好的化学稳定性，在外延生长的温度和气氛中不易分解和腐蚀，不能因为与外延膜的化学反应使外延膜质量下降；

材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要，衬底材料的制备要求简洁，成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。

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