北京国资旗下半导体资产有哪些雪球组合
1、智慧投资组合:智能半导体,智能电子,智能系统,智能机器人,智能电源,智能汽车,智能家居,智能医疗,智能安防,智能物联网,智能消费,智能能源,智能智能制造,智能物流,智能金融,智能交通,智能农业,智能教育,智能娱乐,智能服务,智能物联网,芯片技术,芯片制造,芯片设计,芯片应用,芯片研发,芯片产业,芯片分销,芯片技术服务,芯片技术交流,芯片行业投资,芯片市场分析,芯片设计软件,芯片测试设备,芯片原材料,芯片制造设备,芯片设计服务,芯片测试服务,芯片封装服务,芯片分析服务,芯片认证服务,芯片技术支持服务,芯片设计工具,芯片分析工具,芯片调试工具,芯片认证工具,芯片测试工具等。
2、智能科技组合:智能硬件、智能芯片、智能传感器、智能机器人、智能汽车、智能家居、智能物联网、智能电源、智能安防、智能能源、智能视频、智能医疗、智能金融、智能教育、智能娱乐、智能服务、智能制造、智能物流、智能交通、智能农业等。
3、新材料组合:石墨烯、碳纳米管、金属氧化物半导体、有机硅半导体、硅基薄膜太阳能电池、高分子半导体、超级电容器、超级电容电池、聚合物发光二极管、有机发光二极管、磁性薄膜等。
1、同方国芯-NAND闪存技术拥有西安华芯51%的所有权,拥有华芯自主品牌大容量DRAM内存产品2、国民技术-射频芯片移动支付限制域通信RCC技术3、景嘉微-军用GPU(JM5400型图形芯片)
3.全志科学技术-a股唯一独立IP核心芯片设计公司(类似大型ARM)
4.艾派克-通用印刷消耗品芯片。
5.大唐电信-子公司联芯科学技术(LC1860芯片-中低端产品)、恩智浦(灯调节器芯片、门驱动芯片、电池管理芯片)、大唐微电子(金融IC卡-国内唯一模块包装生产线的芯片公司)
6.欧元-SOC、芯片卫星等国内航空宇宙控制芯片(S698系列芯)8、北京君正-自主创新的XBurstCPU核心技术-MIPS结构M200芯片
7.汇兑技术-世界领先的单层多点触摸芯片,世界首个触摸屏近场通信技术GoodixLink,世界首个Android手机正面应用的指纹识别芯片,世界首个InvisibleFingerprintSensor(IFS)
8.士兰微-完全自主IP的单芯片MEMS高性能六轴惯性传感器。
拓展资料:
1.终端需求的爆发将来自于5G实现后的万物互联场景,而能够承接新一轮半导体转移的国家或地区需具备以下三个特点:一是具备成熟的5G技术基础;二是拥有广阔的终端应用市场以实现IoT;三是有强大的政府扶持力量。从这个角度出发,第三次半导体产业向我国转移将是必然趋势。
2.力源信息主营业务包括上游电子元器件的代理分销业务及自研芯片业务、下游解决方案和模块的研发、生产、销售以及泛在电力物联网终端产品的研发、生产及销售。公司是国内领先的电子元器件代理及分销商,主要从事电子元器件及相关成套产品方案的开发、设计、研制、推广、销售及技术服务。
3.帝科股份主要从事新型电子浆料等电子材料的研发、生产和销售,可广泛应用于新能源、半导体、显示照明等行业。目前,公司主要产品是晶硅太阳能电池正面银浆,并已积极研发和推广太阳能叠瓦组件导电胶、半导体及显示照明领域的封装和装联材料等多类别产品。
1、定义不同
可控硅:可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。
三极管:三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。
2、结构不同
可控硅:大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
三极管:晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,
从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
3、作用不同
可控硅:普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路。以最简单的单相半波可控整流电路为例,在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,
VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通。画出它的波形(c)及(d),只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早,晶闸管导通的时间就早;
Ug到来得晚,晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;
在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显,α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。
三极管:晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
参考资料来源:百度百科-三极管
参考资料来源:百度百科-可控硅
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