深圳市全电半导体有限公司怎么样？

深圳市全电半导体有限公司是2009-06-08在广东省深圳市福田区注册成立的有限责任公司(自然人独资)，注册地址位于深圳市福田区振中路与中航路交汇处新亚洲国利大厦1921。

深圳市全电半导体有限公司的统一社会信用代码/注册号是91440300689428276K，企业法人刘扬，目前企业处于开业状态。

深圳市全电半导体有限公司，在广东省，相近经营范围的公司总注册资本为158550994万元，主要资本集中在 5000万以上 规模的企业中，共4359家。本省范围内，当前企业的注册资本属于一般。

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2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事 

    电力电子器件是电力电子技术的核心，其主要功能是通过器件的高速开关完成各种电能形式的相互变换。随着科技的进步，人类的电力使用与电力电子器件的关系越来越密切，对它的开发与使用逐渐成为人类实现“节能减排”目标的重要手段之一。 

    电力电子器件的性能优劣将直接影响到电能的利用效率。目前常用的Si基电力电子器件经过几十年的发展已经逐渐接近了材料本身的理论极限。为从根本上解决这一问题，发展有更高的功率密度输出、更高的能量转换效率的宽禁带半导体SiC和GaN器件可以实现系统小型化、轻量化，从而大大降低制作成本，这对全球大力推广节能减排的今天意义十分重大。

    为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广，本刊拟将《电力电子技术》杂志2017年第 8 期辟为“宽禁带半导体电力电子器件”专辑，以期集中反映国内外这一技术领域的相关情况和发展趋势。热切欢迎从事宽禁带半导体电力电子器件研发工作的专家学者和青年科技工作者踊跃投稿。

专题的征文范围包括： 

1、Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术。 

2、GaN基电力电子器件（二极管，MOSFET等）的关键技术及挑战。 

3、SiC基电力电子器件（二极管，MOSFET及IGBT等）的关键技术及挑战。 

4、宽禁带半导体电力电子器件的封装技术及应用。 

5、宽禁带半导体电力电子器件的驱动技术及进展。 

    欲投稿的作者请在2017年5月31日前将论文寄到本刊编辑部（E-mail:dldzjstg@163.com），并注明“宽禁带半导体电力电子器件”字样。所投论文将按本刊常规评审程序请国内同行专家评审。评审结果将于2017年6月30日前通知作者。本刊将请中山大学刘扬教授为该专辑的特邀主编，对该领域的研究及该专辑的论文进行分析与点评。

“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事

    以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料所制成的二极管、MOSFET、HEMT等电力电子器件已经逐步商业化，并在耐压、开关性能、温度特性等方面显示出比传统的硅材料器件更为卓越的性能，但在驱动、保护、开关过电压和噪声抑制、封装及可靠性等方面还存在一定的问题，在一定程度上影响了宽禁带半导体器件的迅速推广和应用。这些问题已经成为电力电子技术领域重要的研究热点，学术界和工业界开展了深入的研究和广泛的探索，并取得了大量成果。当前，迫切需要对相关研究问题和成果进行有效的整理，并开展广泛的交流和讨论，使更多的学者和应用工程师了解和掌握宽禁带半导体器件应用的关键技术，并促进其应用问题的解决。 

    为促进宽禁带半导体材料器件应用问题的研究和产业应用推广，本刊拟将《电力电子技术》杂志2017年第09期开辟为“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑，以集中反映这一技术领域的最新科研成果，关键技术发展和创新，新方法、新产品的设计、生产和运行经验，国外相关情况和发展趋势。欢迎相关产品生产企业和研究机构的专家学者踊跃投稿。

专题的征文范围包括： 

1、宽禁带半导体器件工作机理、参数特性分析及建模方法。 

2、驱动与保护方法及电路设计 

3、采用宽禁带半导体器件的功率变换器电路拓扑、功率回路优化设计等关键应用技术与方法

4 采用宽禁带半导体构成的变换器的电磁兼容问题的研究 

5 宽禁带半导体器件和电路的封装与集成技术 

6 宽禁带半导体器件的散热技术与高温应用 

7 宽禁带半导体器件的可靠性问题研究 

    欲投稿的作者请于2017年6月30日前将论文寄到本刊编辑部邮箱（Email：dldzjstg@163.com），并注明“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”字样。所投论文将按本刊常规评审程序请国内同行专家评审。评审结果将于2017年7月30日前通知作者。本刊将请西安交通大学杨旭教授为该专辑的特邀主编，对该领域的研究及该专辑的论文进行分析与点评。

“高频、超高频电力电子功率变换技术”专辑征文启事 

    近年来电力电子变换器不断发展，小体积及高功率密度已经成为其发展的趋势。为进一步减小功率变换器的体积并提高其功率密度，高频、超高频电力电子功率变换技术得到了广泛的关注，同时宽禁带半导体材料的不断发展，也为系统高频化提供了广阔的发展空间。高效、高频、高功率密度的发展趋势，对功率变换器拓扑、驱动方式以及控制方式提出了更高的要求。随着高频、超高频电力电子功率变换技术的不断发展及完善，其可逐渐应用于民用、工业应用以及航天系统的电力电子变换器中，未来其在国民经济和社会发展中将会发挥出更大的作用。

    为促进高频、超高频电力电子功率变换技术的研究和应用，促进高频、超高频电力电子功率变换技术向生产力转化，本刊拟将《电力电子技术》杂志 2017年第12 期辟为“高频、超高频电力电子功率变换技术”专辑，以集中反映这一技术领域的最新科研成果，关键技术发展和创新，新装备、新产品的设计、生产和运行经验，国外相关情况和发展趋势。欢迎相关产品生产企业和研究机构的专家学者踊跃投稿。

专题的征文范围包括： 

1、高频、超高频电力电子功率变换器拓扑； 

2、高频、超高频电力电子功率变换器驱动技术，包括谐振驱动技术、电流源驱动技术等； 

3、高频、超高频电力电子功率变换器控制技术； 

4、新型材料半导体器件（SiC、GaN）在高频、超高频电力电子功率变换系统中的应用； 

5、适用于高频、超高频功率变换系统的开关器件研制及其封装设计； 

6、高频、超高频条件下磁性材料的研制以及磁性元件的设计； 

7、高频、超高频条件下电力电子功率变换器平面及空间布局优化； 

8、高频、超高频条件下系统寄生参数影响分析及利用； 

9、系统EMI特性在高频、超高频条件下的分析及改善。

    欲投稿的作者请在2017年8月30日前将论文寄到本刊编辑部（Email: dldzjstg@163.com），并注明“高频、超高频”字样。所投论文将按本刊常规评审程序请国内同行专家评审。评审结果将于 2017年9月30日前通知作者。本刊将请哈尔滨工业大学徐殿国教授、王懿杰副教授为该专辑的特邀主编，对该领域的研究及该专辑的论文进行分析与点评。

紧凑型全固态半导体泵浦激光打标机研制成功

2010-05-28 科学时报 邓岩刘扬姜楠石明山

近日，依托中科院长春光机所的长春新产业光电技术有限公司成功研制了紧凑型全固态半导体泵浦激光打标机，倍受市场青睐。

激光打标是指利用激光束使打标表面物质气化或发生化学物理变化，从而显出刻蚀图形和文字的方式。与传统标记方式相比，激光打标技术具有标记速度快、字迹清晰永久、污染小、无磨损、 *** 作方便、防伪能力强、可做到高速自动化运行等优点。因此，在工业领域逐渐从电加工进入光加工时代的今天，激光打标已被广泛应用到各种加工领域，包括五金制品、金属器皿、精密机械、汽车配件、电子器件、食品包装、刀具、礼品、钟表、电脑键盘等产品的表面，代替传统的标记工艺，给产品注入新的活力。

目前，激光打标机根据工作方式不同可分为灯泵YAG激光打标机、半导体侧泵激光打标机、半导体端泵激光打标机、光纤打标机等。其中，半导体端泵激光打标机不仅可实现更为精细的打标效果，而且具有体积小、价格低的优势。

长春新产业光电技术有限公司研制的紧凑型全固态半导体泵浦激光打标机，发光源采用半导体列阵，光光转换效率高；采用特殊耦合泵浦方式，光源结构更加紧凑；热耗损低，无须单独配备冷却系统，是目前国内同类产品中体积最小的设备。

据介绍，紧凑型全固态半导体泵浦激光打标机的成功研制，将带动晶体材料、半导体材料、光电器件工艺、加工领域的发展，其带来的直接效益和二次效益都会为国民经济和地区发展带来新的活力。

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