三星3nm芯片将于25日正式对外公布

三星3nm芯片将于25日正式对外公布

三星3nm芯片将于25日正式对外公布。收到第一批的买家是中国虚拟货币矿工，鉴于当前的虚拟货币市场状况，从长远来看，这是一次高风险交易。三星3nm芯片将于25日正式对外公布。

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据韩国媒体报导，三星计划于下周一（25日）正式对外公布其首款代工的3nm芯片，以及将供应大陆开发虚拟货币挖矿芯片的客户，并提到“首批产品功耗与性能明显提升”，希望以此来打消外界的疑虑。

7月22日消息，据韩国媒体报导，三星计划于下周一（25日）正式对外公布其首款代工的3nm芯片，以及将供应大陆开发虚拟货币挖矿芯片的客户，并提到“首批产品功耗与性能明显提升”，希望以此来打消外界的疑虑。

三星此前赶在上半年的最后一天（6月30日）宣布3nm量产，虽然兑现了其上半年量产的承诺，却引来各界质疑其良率、客户来源等问题。

业界认为，三星计划下周一公布更多信息，是希望借此宣示自家3nm量产的实力，并通过公布实际客户，来回应外界的疑虑，以便更好的与台积电竞争。

按照三星的规划，其将于2023年将启动第二代3nm制程，2025年进一步量产2nm，目标是尽快追上台积电，在技术实力上保持领先。

台积电向来不评论竞争对手。谈到先进制程进展，台积电总裁魏哲家日前在法说会提到，3nm如计划进度执行中，预计今年下半年量产，还且有良好的良率表现，明年上半开始带进营收贡献，并逐渐提高，主要动能来自于手机与高性能计算（HPC）。

至于更新版的N3E制程，台积电预计于第一代3nm制程量产后约一年左右量产。2nm制程方面，台积电规划2024年可进行风险性试产，并于2025年量产。相较之下，三星已于6月30日宣布3nm量产，领先台积电，脚步是晶圆代工界最快，但也引来外界各种质疑。

韩国媒体BusinessKorea为三星抱不平，认为日本与台湾媒体都在贬低三星的成就，例如提到韩国半导体业仍高度仰赖日本的材料与设备，还有看衰三星3nm首家客户是大陆虚拟货币挖矿芯片商，以当前虚拟货币市况来看，并不是可以长期信赖的客户。同时，也认为3nm制程芯片不是在三星设备最好的平泽厂生产，而是在华城，代表生产规模相对较小。

BusinessKorea点出，各界质疑三星无法威胁台积电，因为5nm制程的良率还没拉起来。专家表示，韩国必须提高生产3nm制程的良率，但“想让良率达到80％至90％的可获利水准，似乎要很长的时间才办得到”。

台积电目前仍是全球晶圆代工霸主，根据研调机构集邦科技统计，今年首季台积电全球晶圆代工营收市占率为53.6％，三星以16.3％居次，联电排第三，格芯第四，大陆中芯国际排第五，其余业者的市占率都不到5％。

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周二，行业和政府消息人士表示，三星计划于7月25日在京畿道华城的制造中心举行3nm GAA芯片的首次出货仪式。贸易，工业和能源部长Lee Chang-yang和三星设备解决方案部门总裁兼首席执行官Kyung Kye-hyun将出席仪式。收到第一批的买家是中国虚拟货币矿工，鉴于当前的虚拟货币市场状况，从长远来看，这是一次高风险交易。

此外，3纳米芯片不是在平泽市生产的，而是在华城市生产的，这意味着生产规模相对较小，因为三星电子最好的设备在平泽，而华城是开发制造技术的地方。

至于智能手机芯片组，三星可能会使用其3nm GAA技术大规模生产即将推出的Exynos 2300。芯片可能用于即将推出的Galaxy S23系列，并且可能是Google用于Pixel 8系列的第三代Tensor芯片的版本。除此之外，高通可能会加入进来，但前提是台积电遇到良品率问题采用自己的3nm技术。

据报道，高通可以要求三星提供3nm GAA芯片样品，并根据这家韩国巨头在良率、功率效率和其他指标方面的.进步，下达订单。根据不靠谱的谣言说法，即将推出的骁龙 8 Gen 2据说是11月15日揭幕，将完全采用台积电的4nm工艺批量生产，除非奇迹发生。

回顾一下，与5nm技术相比，三星的3nm GAA工艺据说可降低高达45%的功耗，将性能提高23%，面积减小16%。该制造商还将推出第二代版本，该版本将降低高达50%的功耗，将性能提高30%，并将面积减少35%。

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三星官方在上个月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片。这是目前半导体制造工艺中最先进的技术，三星也成为了全球唯一一家提供采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。

据Business Korea报道，三星计划在2022年7月5日在华城工厂举行3nm GAA芯片的首次发货仪式，三星设备解决方案部分负责人庆桂显和韩国工业贸易资源部长李昌阳都会出席。据了解，首个客户是上海磐矽半导体，这批芯片将用于虚拟货币业务。

有消息指出，三星可能会使用3nm工艺制造Exynos 2300，或用于明年的Galaxy S23系列，不过前一段有报道称，其表现不达预期，Galaxy S23系列可能全部采用高通的解决方案。此外，谷歌第三代Tensor芯片也可能采用三星3nm工艺，将用于Pixel 8系列。高通在即将发布的Snapdragon 8 Gen2上选择了台积电的4nm工艺，如无意外并不会出现三星制造的版本。

三星表示，与原来采用FinFET的5nm工艺相比，初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积（PPA）方面有不同程度的改进，其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。

到了第二代3nm芯片，面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”应用，打破了FinFET原有的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。

半导体工艺技术有很多，每种工艺都有其特定的优势和劣势，没有一种工艺能够满足所有的应用需求，因此，选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的。

常见的半导体工艺有：晶圆切割、晶圆研磨、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等。

其中，晶圆切割、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等是半导体八大工艺，这八种工艺是半导体制造过程中最重要的工艺，也是最常用的工艺。

每种工艺都有其优势和劣势，没有一种工艺能够满足所有的应用需求，因此，选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的，没有哪一种工艺是最好的。

衬底与外延片晶圆片的关系：

晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。 

衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。 

外延（epitaxy）是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料。

外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层。

再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构：外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区。外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。因有些厂只做外延之后的工艺生产，所以他们买别人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺。

产品简介：

半导体制造商主要用抛光Si片（PW）和外延Si片作为IC的原材料。20世纪80年代早期开始使用外延片，它具有标准PW所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

历史上，外延片是由Si片制造商生产并自用，在IC中用量不大，它需要在单晶Si片表面上沉积一薄的单晶Si层。一般外延层的厚度为2～20μm，而衬底Si厚度为610μm（150mm直径片和725μm（200mm片）。

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